GaAs单晶结构及特性研究分析进展.pptVIP

GaAs单晶结构与特性的研究进展 内容概要 GaAs的晶体结构 GaAs材料的性能的优缺点 GaAs太阳电池的结构 GaAs太阳电池的研究进展 1 GaAs的晶体结构 GaAs作为III-v族化台物半导体材料，晶体结构属于闪锌矿型晶格结构，砷化镓在晶体结构上不存在对称中心，在砷、镓原子之间的化学键合上，电子密度分布也不对称，这两种不对称性称为化合物的极性。 由于极性的存在，使闪锌矿结构的晶体的解理面改变。 1.一般情况下，面心立方晶体中，{111}面的面间距和面密度最大．应该是晶体的解理面。 2.但对闪锌矿结构的砷化镓来说，虽然也是面心立方结构，但由于它的{111}面间带异性电荷的砷原子和镓原子间的相互作用，有较大的库仑引力，使{111}面分离困难而变成非主要解理面。而砷化镓的{110}面的面间距虽然比{111}面小，但{110}面是数目相同的异类原子组成，从整体来说，异类原子问的引力和同类原子间的斥力抵消，分离比较容易，成为主要解理面。使得砷化镓材料具有独特的性质。 2 GaAs材料的性能的优缺点 1.高的能量转换效率：直接跃迁型能带结构，GaAs的能隙为1.43eV，处于最佳的能隙为1.4～1.5eV之间，具有较高的能量转换率； 2.电子迁移率高； 3.易于制成非掺杂的半绝缘体单晶材料，其电阻率可达108?.㎝以上；