渐变带隙氢化非晶硅锗薄膜太阳能电池优化设计.pdfVIP

物 理学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．2(2014) 028802 渐变带隙氢化非晶硅锗薄膜太阳能 电池的优化设计冰 柯少颖 王茺十 潘涛 何鹏 杨杰 杨宇{ (云南大学光电信息材料研究所，昆明 650091) (2013年9月15日收到；2013年10月14日收到修改稿) 利用一维微电子一光电子结构分析软件 (AMPS．1D)在AM1．5G (100mW ／cm0)、室温条件下模拟和比较 了有、无渐变带隙氢化非晶硅锗 (口一SiGe：H)薄膜太阳能电池的各项性能．计算结果表明：渐变带隙结构 电池 具有较高的开路电压 (。)和较好的填充因子 (FF)，转换效率 (蜀T)比非渐变带隙电池提高了0．477％．研究 了氢化非晶硅 (0一Si：H)、氢化非晶碳化硅 (0．SiC：H)和氢化纳米晶硅 (nc-Si：H)三种不同材料的窗口层对 a—SiGe：H薄膜太阳能电池性能的影响．结果显示：在 以nc-Si：H为窗口层的电池能带中，费米能级EF已经 进入价带，使得窗 口层 电导率及 电池开路电压有所提高，又 由于ITO与P—nc-Si：H 的接触势垒较低，使得接 触处的电场降低，更有利于载流子的收集．另一方面，窗 口层与a-SiGe：H薄膜之间存在较大的带隙差 在 p／i界面由于能带补偿作用形成了价带势垒 (带阶)△日，阻碍了空穴的迁移，因此我们在p／i界面引入缓冲 层，使得能带补偿作用得到释放，更有利于空穴的迁移和收集，得到优化后单结渐变带隙a．SiGe：H薄膜结构 太阳能电池的转换效率达到了9．104％． 关键词：0一SiGe：H薄膜，太阳能电池，渐变带隙，能带补偿 PACS：88．40．hj，61．43．Dq，61．43．Bn，85．60．Bt DOI：10．7498／aps．63．028802 的沉积速率、较大的光学吸收系数和可调的禁带宽 度使得其在叠层太阳能电池 中作为较小带隙的中 引 言 电池和底 电池时有很好的应用前景．比如，美国 由于 自然界存在丰富的硅材料，且硅半导体生 联合太阳能公司报道的最佳a—Si：H／a—SiGe：H 产工艺较为成熟，使得硅基薄膜太阳电池被认为具 双叠层太阳能电池初始和稳定的 分别为14．4％ 有很好的发展前景．近几年，氢化非晶硅 (0一Si：H) 和12．4％l【1近期Huang等 【]基于AMPS一1D软件 薄膜太阳能电池的份额有所增加，低成本的优势使 的数值模拟结果制备出的0一Si：H／a—SiGe：H／#c- 其得到广泛的商业应用．然而其转换效率 (Eft)较 SiGe：H三叠层太阳能电池的初始 为12．09％． 低，且在长时间的光照下 会大幅下降，因而无 现今报道的单结a—SiGe：H薄膜太阳能电池的 法满足可持续使用的要求．如何提高a—Si：H薄膜 值都 比较低 ，虽然其窄的带隙可 以通过增加Ge组 太阳能电池的 和稳定性成为当前的一个研究 分来调节，然而Ge组分的增加却使得薄膜的光敏 热点． 性降低，Chou等 3【]指出，随着Ge组分的增加，薄 近期硅锗合金在太阳能电池中越来越受到重 膜的光敏性可以从10下降到l0数量级．费英和 视 氢化非晶硅锗 (0一SiGe：H)薄膜因具有较高 史力斌 4【】指出，Ge的掺入虽然使得电池的量子效 国家自然科学基金(批准号10990103)、云南大学理工项 目基金 (批准号 2012CG0081和云南省应用基础研究计划重点 项 目(批准号：2