IES-3927 三极管的教育资料解析.pptVIP

　◆４．处理制品的注意事项（１） 关于保管 关于素子、及捆包材、能够耐得住一定环境条件，必须注意以下几点。 １）避免阳光直射，尽可能的在温度?湿度变化少的室内进行保管。　 （建议在气温5～30℃、湿度40～60%RH的范围内） ２）关于保管中的氛围，请保存在没有产生有害气体、灰尘少的地方。 ３）使用保管容器的场合，请使用难带静电器的工具。 ４）在保管过程中，请不要对素子施加过大的荷重。 因此，如果没有足够的注意这些方面，会成为特性的恶化、半田附着的恶化及外观不良等的发生原因。还有，关于长期保管品，特别是由于引脚端子表面的酸化，可能造成半田附着性的恶化，请在使用前实施半田附着性的评价。 　◆４．处理制品的注意事项（２） 关于作业环境 　 处理半导体的时候，特别是对于静电，有必要引起注意。 作为作业环境，要控制在100V以下，因此，请注意不要放置容易产生静电的物质、避免低湿度状态。 　作业的场合，请尽量避免容易带电的绝缘物的使用，请使用导电的工具。制电作业服、静电环等的穿着于佩戴，导电性垫子的使用等，为了防止静电的发生，对已发生的电荷进行快速处理，有必要对看漏的地方实施对策。 　◆４．制品处理的注意事项（３） 关于定格?特性 　各半导体素子请在规定的绝对最大定格内使用。 所谓的绝对最大定格，是指「半导体素子能力」还有「能够使用的条件的界限值」，如果超出了其极限值，会导致素子的特性恶化及对其造成破坏。 　为了防止素子的恶化及破坏、进行有效的控制，请在定格值内、及规格值内进行使用。特别是在个别半导体中，三极管、二极管，由于客户不同，所以其使用状态（电压、电流、温度）也不同，对于冗长设计、足够的电路检证，有必要引起注意。 　◆ ５．不具合发生时需要得到的信息 ①不具合发生工程、发生率 ②不具合内容 　　→三极管动作的症状良好。 　　　　　例）基极?集电极间漏电、OPEN、不是ON动作等 ③LOT信息 　　→在卷盘上记载的7位数的番号 ④给贵社的纳入时期，贵社生产时期 　　　※③项不明的场合、进行推测。 http:www.idc-com.co.jp/ 半导体制品的教育资料 资料No.　第IES-3927号 作成日　2014年1月17日 谏早电子株式会社 半导体事业本部　开发1部 品质保证统括　品质保证2部 　◆目录 １．制品的说明、性能 ２．三极管的内部构造 ３．工程流程 　　①晶圆流程 　　②组立流程 ４．处理制品的注意事项 ５．不具合发生时需要收集的信息 1 　◆　１．制品的说明?性能　 　　　　　　　三极管的用途 三极管的控制 増幅用 开关用 输入信号 输出信号 三极管 开关OFF 三极管 开关ON 三极管适用于信号增幅、电气的开关元件。 根据其用途，有很多不同的三极管。 　◆１．制造的说明?性能　 　　　　　　三极管的构造和记号 Ｎ型 Ｎ型 Ｐ型 Ｃ（集电极） Ｂ （基极） ＮＰＮ型 Ｐ型 Ｐ型 Ｎ型 Ｃ（集电极） Ｂ （基极） Ｅ（发射极） Ｃ Ｂ Ｅ Ｃ Ｂ Ｅ ＰＮＰ型 　◆２．三极管的内部构造图 3pin类型 6pin类型 关于侧翼类型的面实装PKG机种， 是注标面在上侧，芯片搭载在下侧的状态。 　◆３．工程流程（①晶圆流程）　 　　　　　三极管晶圆流程（1)　（例：NPN） 程序前 第一酸化 纵构造略图 Epi层形成三极管，Sub层则为基础。因为里面也要被使用，所以电阻非常小。Epi、Sub层属于集电极的领域。 使用罩子，使其处于露光状态、除去形成基极扩散部的一部分酸化膜，使用光致抗蚀剂。 在晶圆全表面注入B（硼），使得其表面形成含B的酸化膜。 在晶圆全体形成薄的酸化膜层 写真制版　　　　　　　　　酸化膜的除去 基极 注入前酸化 基极 　◆ ３．工程流程（①晶圆程序） 　　　　　　三极管晶圆程序流程（2)　（例：NPN） 基极扩散 写真制版　　　　　　　　　酸化膜的除去 由于热量的扩散、表面的B也会在Epi层扩散。 随着热量扩散，在基极领域内形成发射极区。通过添加P（磷），来控制hFE的性质。 形成钝化膜，防止离子等侵入导致动作不安定。 发射极 CVD形成钝化 膜的方法 钝化 发射极扩散 形成发射极扩散部，除去部分酸化膜 　◆ ３．工程流程（①晶圆程序） 　　　　　　三极管晶圆流程程序（3)　（例：NPN） 接点 形成连接表面电极和扩散部之间的孔 作为晶片的表面保护膜、除形成焊线部、在切割晶片以外处形成玻璃保护层（SiN）。 形成表面电极 在这里会使用到Au，根据其焊接方式，也会有使用其他金属的场合。 表面电极 里面电极 玻璃保护层 根据表面的Al（铝），形成配线。通过蒸着、形成薄膜。 　◆ ３．工程流程（②组立程序） 晶圆安装 切割 清洗 芯片粘合 金线粘合 注塑 引脚加工 电镀 去毛刺