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一、 绪论 填空 运算放大器 × ） 8、实现运算电路不一定非引入负反馈。（×） 三、 二极管及其基本电路P型半导体中空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。 5、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。 6、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。 7、二极管最主要的特性是单向导电性 。在常温下，硅二极管的开启电压约 0.7 V，导通后在较大电流下的正向压降约 0.7 V；锗二极管的开启电压约 0.2 V，导通后在较大电流下的正向压降约 0.5 V。 8、本征半导体中的自由电子浓度等于空穴浓度中的自由电子浓度小于空穴浓度中的自由电子浓度大于空穴浓度在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。硅二极管的完全导通后的管压降约为0.7V稳压管通常工作于反向击穿区，来稳定直流输出电压1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） 2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 3、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 。（）PN结加正向电压时，空间电荷区将×）。√ ） 7、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 （× ） 四、三极管 一、填空 1、三极管是 电流 控制元件，场效应管是 电压 控制元件。 2、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。 3、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic 增加 ，发射结压降 减小 。 5、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1 ，输入电阻 大 ，输出电阻 小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 6、晶体三极管的集电极电流Ic=βIb 所以它是电流控制元件。 7、在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是 共集，不能放大电压、可以放大电流的是 共基，输入电阻最小的是共基，输出电阻最小的是共集。 8、工作在放大区的某三级管，当IB从20μA增达到40μA时，IC从1mA变为2mA，则它的β值约为 50 。 9、NPN型三极管处在放大状态时，3个电极电位以集电极电位最高， 发射极电位最低。 12、下图 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为 NPN型和PNP型，用半导体材料_硅_和_锗_制成，电流放大系数β分别为50和20。 13、当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数增大，反向饱和电流ICBO增大，IB不变时，发射结正向电压VBE减小。 二、判断 1、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ） 、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）（）（ ）√ ） 12、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√） 五 场效应管放大电路 3、三极管处于放大状态时，是工作在其特性曲线的 放大 区；场效应管工作在放大状态时，是工作在其特性曲线的 饱和 区。 六 模拟集成电路 6、差模输入电压是指两个大小相等、方向相反的实际输入信号电压。 8、在差分放大电路发射极接入长尾电阻或恒流三极管后，它的差模放大倍数Ad将不变，而共模放大倍数将减小，共模抑制比将增大。 9、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。 10、差动放大电路的两个输入端的输入电压分别为U i1=-8mV和U i2=10mV，则差模输入电压为9 mV，共模输入电压为1 mV。 二、判断 1、运放的输入失调电压是两输入端电位之差。（?×??） ?2、运放的输入失调电流是两端电流之差。（√?） ?3、有源负载可以增大放大电路的输出电流。（?√??）? 4、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（?×）? 5、一个理想差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（√???） ?6、集成运放只能放大直流信号，不能放大交流信号（?×??）? ?7、差分放大电路的差模放大倍数愈大愈好，而共模放大倍数愈小愈好。（?√） 8、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√ ） 七 反馈放大电路 AF=A/（1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/F。 3、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF