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基于SG3525的DC／DC直流变换器的研究/app/analog/200909/47606_2.htm 时间：2009-09-17 09:43:59 来源：电源技术应用 作者：李桂丹 高晗璎 张春喜 0 引言??? 随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用。为此，美国硅通用半导体公司推出了SG3525，以用于驱动N沟道功率MOSFET。SG3525是一种性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片，它简单可靠及使用方便灵活，输出驱动为推拉输出形式，增加了驱动能力；内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM锁存器，有过流保护功能，频率可调，同时能限制最大占空比。其性能特点如下：??? 1)工作电压范围宽： 8～35V。??? 2)内置5．1 V±1．0％的基准电压源。??? 3)芯片内振荡器工作频率宽100Hz～400 kHz。??? 4)具有振荡器外部同步功能。??? 5)死区时间可调。为了适应驱动快速场效应管的需要，末级采用推拉式工作电路，使开关速度更陕，末级输出或吸入电流最大值可达400mA。??? 6)内设欠压锁定电路。当输入电压小于8V时芯片内部锁定，停止工作(基准源及必要电路除外)，使消耗电流降至小于2mA。??? 7)有软启动电路。比较器的反相输入端即软启动控制端芯片的引脚8，可外接软启动电容。该电容器内部的基准电压