半导体第五讲硅片清洗(课时)详解.ppt

清洗材料—高纯度、低杂质、无污染 高纯度的化学品叮降低微粒和金属杂质的污染。采用无氧超纯水〔oxygen free ultrapure water)洗涤可避免自然氧化物的生成。用臭氧冷冻去离子水取代SPM，可以减少化学品的用量及化学废液量，降低 清洗成本及保护环境。开发单一清洗配方(Cleaning formular)达到RCA不同化学溶液清洗效果，得到超洁净、无微粒污染、无金属离子污染，无表面微粗糙的晶片表面，如美国的J. T. Baker开发了“Dublin单一清洗配方，该配方尚在实验验证阶段，可望将来能取代复杂的RCA清洗。 * 清洗工艺—快速、简洁的清洗程序 开发清洗循环短、清洗效率高、产能大的清洗工艺，如无化学品的晶片清洗工艺。如图所示为美国RSC公司的光子惰性气体清洗工艺技术(photon inert gas cleaning)示意图，该技术是一种无化学污染、低成本、无环境污染的超洁净的无水干式清洗。 * 2.喷洗式单箱化学清洗机(spraychemical cleaning processor) 这种清洗方式是将晶片放在清洗槽内的转盘上，新鲜的清洗用化学溶液经N2加压、通过喷洗柱(spray post)均匀喷淋在晶片上作为化学清洗及超纯水洗涤，转盘按照清洗程序所设定的转速转动，根据不同的清洗循环(cycle)自动变化，以达到最佳的清洗效果。每一循环结束后，喷洗后的化学酸立即排出，所以每次清洗时都是用新鲜、洁净的化学酸喷洗，不像浸洗式化学酸槽中的酸易受污染。以美国FSI公司设计的多座式喷洗机为例，清洗过程中首先用加压N:将化学罐( chemical canister)内的清洗用化学溶液压出并经由清洗腔中央的喷洗柱与超纯水均匀棍合到配方的比例，然后喷洗旋转中转盘上的晶片，如图所示。按照程序设定的顺序，不同的化学清洗溶液依序喷洗晶片。在改换化学溶液前，化学管路(elremical tubing } ,喷洗柱和清洗槽需用超纯水洗涤干净，以避免“交互污染” * * FSI公司生产的化学喷洗机剖面图 清洗槽需用超纯水洗涤干净，以避免“交互污染”。下图1所示为FSI公司生产的化学喷洗机的化学溶液管路图。在最后纯水洗涤( final rinse)后，转盘高速旋转，利用高速离心力、伯努利原理及顶盖上的加热.器( blanket heater)，将清洗后的晶片烘干。为了彻底清洗晶片边缘靠近清洗槽侧壁的化学残留物，装在侧壁上的纯水洗涤喷洗柱从侧壁喷洗晶片，如图2所示。一次清洗循环(cleaningcycle)约为20一30 min ,清洗的晶片片数根据晶片的大小及清洗程序的不同而不同。这种清洗设备面积很小，不像整座化学清洗站要占用庞大昂贵的净化室面积，以下为喷洗式化学清洗机的优点: ①设备占用的净化室面积较小。 ②清洗产能高。 ③清洗循环时间短。 ④使用新鲜、纯净的清洗用化学品。 ⑤清洗后晶片表面的微粒少，小于0.1/cm2 ⑥金属杂质含量低，小于1010atoms/cm3 ⑦工艺省水、省化学品。 * * 图1 FSI公司生产的化学喷洗机化学溶液管路图 * 图2 化学喷洗机中央及侧壁喷洗柱(spray-post)透视图 这种单槽喷洗式的化学清洗机也有多种清洗功能，可设定很多清洗程序，可应用在以下工艺中: (1)清洗 ①扩散前清洗。 ②栅极氧化前清洗。 ③外延前清洗(pre EPI clean)。 ④化学气相沉积前清洗。 ⑤氧化前清洗(pry axidation clean) 〔2)清除(stripping) ①光刻胶的清除。 ②钛/氮化铁金属的清除(Ti/TiN stripping)。 ③多晶硅的清除(pnlysilicon stripping ) (3)刻蚀. ①WSi 的刻蚀(wsi etching)。 ②Si3N4的刻蚀(nitride etching) ③SiO2的刻蚀(oxide etching)。 (4)特殊 ①化学机械研磨后清洗(Post CMP clean) ②晶片的回收(wafer reclaim ) * 3，密闭容器化学清洗系统 这种化学清洗技术是将晶片放在密闭单容器( single enclosed vessel)的清洗腔内，按照设定的清洗程序，通人不同的清洗用化学溶液清洗晶片，超纯水清洗残留的化学酸液后，通人IPA使晶片脱水干燥。整个清洗工艺均在“标准态”的密闭容器内进行，不同于浸洗式化学清洗站和喷洗式的化学清洗机，晶片的清洗过程在半真空状态下进行，晶片表面不接触空气，所以能减少微粒污染、提高晶片表面的洁净度。 清洗前，品片经自动晶舟转换器放入有沟槽( slotted)的密闭容器内，操作员选定清洗程序并将程序下载到系统的电脑控制站(computer controller），按下启