光电子器件结型光电探测器资料.pptVIP

第2章 结型光电探测器 2.1 光生伏特效应 势垒型光电探测器是对光照敏感的“结”构成的，故也称结型光电探测器。 根据所用结的种类的不同，可分为PN结型、PIN结型、异质结型和肖特基结型等。 势垒型光电探测器与光电导探测器相比较，主要区别: 2.1.1 PN结 当P型与N型半导体相接触，电子和空穴相互扩散在接触区附近形成空间电荷区和耗尽层，结区两边形成内建电场。 接触电势差UD取决于P型和N型半导体的费米能级EFp、EFn之差： 加正向电压的结构与能带 加反向电压的结构与能带 设扩散电流I1，一般都规定PN结中的扩散电流方向为流过PN结电流的正方向，即由P区通过PN结指向N区，如图2-3。反向饱和漂移电流I0，与扩散电流方向相反，也称反向电流。 I1=I0eeU/kT 其中，k为波尔兹曼常数，T为热力学温度。 PN结加上外加电压，流过PN结的电流为： Ij=I1-I0=I0(eeU/kT-1) U为正，即P区电压高于N区，即常说的正向电压，此时电流由P区流到N区，电流为正值，如图2-3。 U为负，即N区电压高于P区，即通常所说的负向电压，电流由N区流到P区，电流为负值，如图2-4。 PN结的电流电压特性如图2-5中的无光照的I-U曲线。 2.1.2 PN结光生伏特效应 PN结在有光照的电流电压曲线，与普通的二极管的电流电压特性相区别: 相当于在回路中加了一个反向电势，所以产生了光生伏特效应的光电二极管的电流电压特性发生了移动。 当I=0时，U=Uoc，即光生电势。 当U=0时，I= Isc，即光生电流。比较图2-5的曲线Ⅰ和Ⅱ，随着光照的增强，曲线向下移动，光生电势和电流增加。 2.2 光电池 光电池是直接把光变成电的光电器件，由于它是利用各种势垒的光生伏特效应制成的，故称为光生伏特电池，简称光电池。 按用途分：太阳能光电池、测量光电池。 按材料分：硅光电池、锗光电池、硒光电池、硫化镉光电池、砷化镓光电池。 其中最受重视的是硅光电池、硒光电池。 硅材料研究得最充分，硅光电池具有一系列的优点，如性能稳定、寿命长、光谱响应范围宽、频率特性好、能耐高温。 硒光电池的光谱响应曲线与人眼的光视效率曲线相似。 应用：应用于光能转换、光度学、辐射测量、光学计量和测试、激光参数测量等方面。 2.2.1 光电池的结构 结构有两种：一种是金属—半导体接触型，硒光电池即属此类。另一种是PN结型，硅光电池属PN结型。 硅光电池的结构形式有多种，按基底材料可分为2DR型和2CR型。 PN结光电池的结构图 除典型结构型式的硅光电池以外，按不同用途，还有些特殊的结构型式 光电池的符号、连接电路 2.2.2 光电池的电流与电压 PN结中有三种电流：扩散电流I1、漂移电流I0、光生电流Ip 光照引起电压和势垒的变化 IP与单色辐射的光功率P可写成：Ip=RλP Rλ——光谱灵敏度。 光谱灵敏度与光的入射方式有关，是一个复杂的关系式。 为了计算使用简单，光生电流IP与入射单色辐射的功率P可简写为如下的关系： 当RL=0时，外电路短路，电流全部流过外电路Ip=Isc，光电流随着光照而变化，故I与光照E成正比。 一定负载下，随着E增加，I出现非线性，负载越大，线性范围愈小，非线性愈严重。 因此，作为探测器用的光电池，为保证测量呈较好的线性，应选择较小的负载电阻，如5Ω的串联电阻。 连续改变负载电阻值，就得到一条输出电压与电流的关系曲线，这就是伏安特性曲线。 交点(Uoc, 0)代表开路情况，RL=∞，Uoc称为开路电压，交点（0，Isc）代表短路情况，Isc称为短路电流。 4．转换效率 对于输出的功率P=IU，对其求极值，可以获得光电池存在一个最大输出功率Pm，此时对应的最佳负载电阻RLm，对应的电流Imp和电压为Ump。 Pm=Ump·Imp 通常定义光电池的转换效率η：光电池输出的最大功率与入射光功率的比值。 它表示了光电池把光转变为电信号的能力。 5．频率特性 光电池作为探测器使用时，由于载流子在PN结区内扩散、漂移、产生、复合都要有一个时间驰豫过程，所以当光照变化很快时，光电流就有滞后于光照变化的现象。 光电池的频率响应除了载流子运动的内在因素外，还与材料、结构、光敏面的大小及使用条件有关。 6．温度特性 光电池许多参数都与温度有关，一般光电池的参数都是在30℃条件下测得的。T升高，Uoc减小到3mV/℃，具有负温度系数，T升高，Isc上升到10-5 ~ 10-3mA/℃，具有正的温度系数，如图2-1