电介质材料资料.pptVIP

§6.1 电容器介质材料 §6.2 铁电材料 §6.3 压电材料与热释电材料 §6.4 微波陶瓷介质材料 §6.5 玻璃电介质材料 §6.6 有机电介质材料 1、 高频温度补偿性介电陶瓷（Ⅰ型）； 2、 高频温度稳定型介电陶瓷（Ⅱ型）； 3、 低频高介电系数型介电陶瓷（Ⅲ型）； 4、 半导体介电陶瓷（Ⅳ型）。 Ⅰ类瓷是电容量随温度变化稳定度高的电容器瓷，主要用于高频谐振回路中。Ⅰ类瓷主要以钛、锆、锡的化合物及固溶体为主晶相。（主要用于：高频热稳定电容器瓷，高频热补偿电容器瓷） Ⅱ类瓷以高介电常数为特征，为具有钙钛矿型结构的铁电强介瓷料，如BaTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3。（主要用于：低频高介电容器瓷） Ⅲ类瓷：半导体陶瓷 热补偿电容器瓷 定义：αε具有很大的负值，用来补偿振荡回路中电感的正温度系数，以使回路的谐振频率保持稳定。 1、金红石瓷 ε：80~90，αε：-750~-850×10-6/℃ 2、钛酸钙瓷 ε：150~160 αε：-2300×10-6/℃( -60~120 ℃) - (1500~1600)×10-6/℃( +20~80 ℃) 二氧化钛及含钛盐类是十分重要的温度补偿型陶瓷介电材料。Ti02瓷的主晶相为金红石。 ⑴ TiO2的结构 rTi4+=0.68A°，rO2→=1.40A°，r+/r-=0.468 ∴形成[TiO6]八面体 Ti4+取六配位，用电价规则算得每个O2-离子为三个[TiO6]八面体共用。自然界中TiO2有三种晶型（同质异型体），其性能特点如下： (2) 钛离子变价及防止措施 钛原子的电子排布：1s22s22p63s23p64s23d2，4s的能级比3d稍低，3d层的电子容易失去，可为Ti4+、Ti3+、Ti2+，可见Ti4+易被还原（Ti4++e→Ti3+=Ti4+·e[e-弱束缚电子]） Ti4+→Ti3+的原因： a、? 烧结气氛 b、? 高温热分解： c、? 高价（5价）杂质： d、? 电化学老化 还原气氛夺去TiO2的O2-，使晶格出现 Ti4+、Nb5+、Ta5+、Sb5+半径相近，5价离子取代Ti4+→形成置换固溶体→多余一个价电子→ 金红石瓷在使用过程中，长期工作在高温、高湿、强直流电场下，表面、界面、缺陷处活性大的O2-离子向正极迁移，到达正极后，氧分子向空气中逸出，留下氧空位，是不可逆过程。 银电极在高温高湿、强直流电场下：Ag-e→Ag+，Ag+迁移率大，进入介质向负极迁移 防止Ti4+→Ti3+的措施： 所谓高频热稳定性电容器瓷，就是指αε很小或接近于零。包括钛酸镁瓷，锡酸钙瓷等。 1、钛酸镁瓷 2、锡酸钙瓷 1）钛酸镁瓷： TiO2-MgO系相图可知(p225)，存在三种化合物列表如下： 钛酸镁瓷的工艺特点： 烧结温度高（1450~1470℃），范围窄5~10℃，否则，晶粒↑，气孔率↑，机电性能↓。 需在氧化气氛中烧结，避免TiO2还原。 2）锡酸钙瓷 锡酸盐的种类很多，但由于介电性能和烧结温度的限制，只有CaSnO3、SrSnO3、BaSnO3较适合作为高频电容器介质材料，其中以CaSnO3的介电性能和烧结温度最好。 (1) CaSnO3的结构及介电性能 (2) 锡酸钙瓷的成分及工艺要求 (1) CaSnO3的结构及介电性能 CaSnO3属于钙钛矿结构，Sn4+处于O2-八面体中，但由于Sn4+半径比Ti4+大，因而不易产生Sn4+位移极化，也就不存在强大的有效内电场，这样其ε远比 CaTiO3小（ε=14），同时，其ε将按离子位移极化的机理随 T↑而增大（αε0） CaTiO3与CaSnO3性能比较 CaSnO3瓷在高温时的性能较好，但ε太低，另在直流电场与还原气氛下较稳定。 CaSnO3可用作高频热稳定型电容器介质，为了调节瓷料的αε，可加入CaTiO3或TiO2。 (2) 锡酸钙瓷的成分及工艺要求： 锡酸钙瓷的工艺过程与CaTiO3瓷相同 CaSnO3烧块的典型配方 烧结工艺要求 ?1) CaSnO3烧块的典型配方 CaCO3：SnO2=1.07：1，防止SnO2游离（SnO2电子电导大） 2) 烧结工艺要求： 　　在高纯（≥99.9％）BaTiO3中掺入微量（＜0.3％mol）的离子半径与Ba2+相近，电价比Ba2+离子高的离子或离子半径与Ti4+相近而电价比Ti4+高的离子，它们将取代Ba2+或Ti4+位形成