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大气压等离子体辅助多晶硅薄膜化学气相沉积参数诊断.pdf
59 4 2010 4
第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol. 59 ,No. 4 ,April ,2010
1000-3290 / 2010 / 59 (04)/2653-08 ACTA PHYSICA SINICA 2010 Chin. Phys. Soc.
大气压等离子体辅助多晶硅薄膜
化学气相沉积参数诊断*
刘莉莹 张家良 郭卿超 王德真
( , 116023)
大连理工大学物理与光电工程学院 大连
(2009 6 13 ;2009 8 25 )
年 月 日收到 年 月 日收到修改稿
Ar 、SiCl H (Ar / SiCl / H )
本文采用发射光谱法诊断了大气压下 气 及 气混合气体 射频放电等离子体射流特
4 2 4 2
. Si Si ,
性 利用 原子谱线强度计算了电子激发温度并以此估算了 原子数密度 研究了射频功率及气体流量对电子激
Si SiCl .
发温度和 原子数密度以及 4 解离率的作用
: , , ,
关键词 大气压等离子体射流 发射光谱 电子激发温度 多晶硅薄膜沉积
PACC :5270K
放电等离子体射流增强化学气相沉积多晶硅薄膜
. ,Si
1. 引 言 的工艺研究 在沉积过程中 原子的数密度和能
量对薄膜的结构具有决定性影响,因此本文利用发
、
提高太阳能电池的转换效率 降低生产成本一 Si
射光谱方法分析 原子的数密度和电子激发温度
直是太阳能电池板工艺研究的目标. 从单晶硅太阳 ,
对放电参数的依赖关系 目的是寻找最佳的沉积
、
能电池到如今大规模应用的非晶硅 多晶硅及薄膜 参数.
,
太阳能电池 工艺的每一次技术进步都是追求上述
. 多晶硅薄膜太阳能电池因其硅耗量
目标的结果 2. 实 验
, ,
小 又无非晶硅薄膜电池的效率衰减问题 并且可
,
能在廉价基材上制备 其成本预期远低于单晶硅电
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