稀土铕离子掺杂氧化锌薄膜的制备与光学性能的研究.pdfVIP

摘要 摘 要 直接宽禁带半导体氧化锌是最有潜力的光电材料之一，已经应用于太阳能电池、 发光二极管、室温紫外激光器、气体传感器、场效应晶体管、压电二极管等。对氧化 锌进行掺杂可以调节其光电性能，因而掺杂氧化锌纳米结构的制备及其性能研究吸引 meV，存在 了人们很大的兴趣。ZnO室温下禁带宽度为3．37eV，激子束缚能高达60 室温激子，适合于室温下的紫外激光发射，可制成短波近紫外发光和激光器件，提高 计算机的存贮密度。而且化学物理性能稳定(抗氧化，耐潮，耐高温等)，因而是适合掺 杂的好的基质材料。而稀土离子由于具有特殊的壳层结构，外面的晶体场被电子层所 屏蔽。三价稀土的发光电子跃迁大多是4f态间的跃迁。在近紫外、可见和近红外光的 波段内，稀土离子有许多的特征锐谱线，作为发光材料的发光中心是一种比较好的选 择。所以在ZnO光电薄膜材料中掺入稀土离子不仅可以丰富发光的颜色，而且在光电 集成材料和器件中具有重要的基础研究价值。稀土掺杂的半导体己经在活性层方面得 到了广泛应用，如在薄膜电致发光器件，光电子和阴极射线发光等器件中。本文制备 了掺稀土铕离子的氧化锌薄膜材料并研究了其结构和发光性能，获得了室温可见区的 光致发光，探讨了发光过程中稀土与基质之间的能量传递机制。本文主要工作如下： MPa的压力下压制成靶， 通过行星式球磨机研磨均匀混合制成纳米量级粉末，然后在30 高温烧结成陶瓷靶材。高温固相反应法是发光材料的一种传统的合成方法。通过控制 反应条件(尤其是焙烧过程中温度的设定和反应气氛的选择等)、还原剂的使用、助熔 剂的选择、原料配制与混合等方面制得了致密度高，质量均匀的靶材。 二、采用射频磁控溅射技术制备了纯ZnO和掺铕的ZnO薄膜样品。溅射技术由于可 以大面积生长、成本低廉、薄膜表面平整、成膜均匀以及重复性好等优点，已广泛应 用于金属、半导体和绝缘体薄膜的制备。X射线衍射(XRD)结果表明薄膜样品c轴择优 生长，并且观测不到其他的杂相。原子力显微镜(AFM)照片显示出样品成膜均匀性比 较好。样品在320nm的飞秒脉冲激发下观察到了很强的紫外激射。ZnO：Eu薄膜的光致 nln，597nm，618nlTl，660 发光(PL)谱里能观察到Eu3+的红光发光带，峰位分别为580 nm, 广东工业大学工学硕士论文 较好的透射光谱，薄膜质量较好。 nlil的激光激发下，观察到了在385nlTl附近的带状光致紫外发光峰，没有出现因氧空位 或间隙锌等本征缺陷而造成的绿光发光锋。掺杂了2％铕离子的氧化锌纳米线的PL谱 里，紫外发光峰发光强度明显降低，出现蓝移，并且观测到了铕的红光发光峰，表明 存在从氧化锌基质到稀土铕离子之间的能量传递。 关键词：稀土，ZnO薄膜，Eu掺杂，射频磁控溅射法，光致发光谱 n ABSTRACT Abstract Zinc ofthemost beendemonstratedtobe oxide，one promisingmaterials，has insolar ultraviolet applicablecells，lighting·emittingdiodes，roomtemperature lasers，gas and transistors diode．Ithasattracted sensor，field—effect piezoelectric—gated