半导体三极管解析.ppt

1. 3. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 1.3.3 特性曲线 1. 输入特性 输出特性 1.3.4 主要参数 一. 共发射极电流放大系数 1.4 特种半导体器件简介 1.4.1 光敏电阻 本 章 小 结 光敏电阻、热敏电阻和压敏电阻是三种特殊的半导体器件。常用于温度测量、控制、稳压和过压保护等电路中。 杂质半导体分为N型和P型半导体两类。电子和空穴是半导体中两种导电的载流子。 半导体二极管由一个PN结构成，它具有单向导电性。外加正向偏置电压二极管导通，外加反向偏置电压二极管截止。特殊二极管既有二极管的特性，又具有自身的特殊性能，如稳压二极管用来稳压，发光二极管用来发光、光电二极管用来进行光电转换等。 半导体三极管的基极电流对集电极电流有控制作用，所以是一种电流控制器件。三极管具有电流放大作用的外部条件是发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 第二章 半导体三极管及其放大电路 三极管也叫双极型晶体管 2.1 半导体三极管 1.3.1结构与符号 N型硅 B E C N型硅 P型硅 二氧化硅保护膜 N型锗 E C B P P 铟球 铟球 由三层半导体、两个PN结构成 由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体的管子称为NPN管。还有一种与它成对偶形式的，即两块P型半导体中间夹着一块N型半导体的管子，称为PNP管。晶体管制造工艺上的特点是：发射区是高浓度掺杂区，基区很薄且杂质浓度底，集电结面积大。这样的结构才能保证晶体管具有电流放大作用。 基极 发射极 集电极 晶体管有两个结 晶体管有三个区 晶体管有三个电极 三层半导体材料构成NPN型、PNP型 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 E C B 各区主要作用及结构特点： 发射区：作用：发射载流子 特点：掺杂浓度高 基区：作用：传输载流子 特点：薄、掺杂浓度低 集电区：作用：接收载流子 特点：面积大 符号 P P N E B C 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B PNP 型 二、类型 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 晶体管放大的条件 1.内部条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 2.外部条件 发射结正偏 集电结反偏 晶体管的电流分配和放大作用 实验电路 mA mA IC EC IB IE RB EB C E B 3DG6 ?A 电路条件: ECEB 发射结正偏 集电结反偏 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。 晶体管的电流放大原理： 1、发射区向基区扩散电子的过程： 由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子自由电子将不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。 2、电子在基区的扩散和复合过程： 由于基区很薄，其多数载流子空穴浓度很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少一部分和基区空穴复合，剩下的绝大部分都能扩散到集电结边缘。 实验表明：