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第二讲（下） LED芯片工艺及检测技术 二 芯片前工艺（1） LED芯片前工艺主要工作就是利用光刻机、掩膜版、ICP、蒸镀机等设备制作图形，在一个wafer片上做出几千~上万颗连在一起的晶粒。 设备简介 匀胶机、加热板、光刻机、显影台、金相显微镜、台阶仪 、有机清洗台、酸性清洗台、超声清洗机、ICP、ITO蒸镀机、合金炉、Pad蒸镀机、PECVD、点测机 二 芯片前工艺（2） 外延片 清洗 PECVD 涂胶 正胶 曝光 MESA光刻板 显影 显影：光罩上的图形转移到芯片表面的光刻胶上 放大 椭偏仪 椭偏仪?是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。 适用领域：半导体、介电材料、有机高分子聚合物、金属氧化物、金属钝化膜、自组装单分子层、多层膜物质和石墨烯等等 椭偏仪工作原理 已知入射光的偏振态，偏振光在样品表面被反射，根据不同材料和薄膜厚度对于偏振光两个分量的反射情况不同，测量得到反射光偏振态（幅度和相位），计算或拟合出材料的属性。 椭偏仪的工作波长选择 最初，椭偏仪的工作波长多为单一波长或少数独立的波长，最典型的是采用激光或对电弧等强光谱光进行滤光产生的单色光源。现在大多数的椭偏仪在很宽的波长范围内以多波长工作（通常有几百个波长，接近连续）。和单波长的椭偏仪相比，光谱型椭偏仪有下面的优点：可以提升多层探测能力，可以测试物质对不同波长光波的折射率等。 椭偏仪的光谱范围在深紫外的142nm到红外33um可选。光谱范围的选择取决于被测材料的属性、薄膜厚度及关心的光谱段等因素。 二 芯片前工艺（3） 蚀刻SiO2 SiO2蚀刻：未被光刻胶保护的SIO2均被BOE蚀刻掉,而有光刻胶保护的SIO2则留下来。 去胶后 SiO2 ICP刻蚀 台阶仪 当触针沿被测表面轻轻滑过时，由于表面有微小的峰谷使触针在滑行的同时，还沿峰谷作上下运动。触针的运动情况就反映了表面轮廓的情况。 台阶仪的种类 根据使用传感器的不同，接触式台阶测量可以分为电感式、压电式和光电式3种。 电感式采用电感位移传感器作为敏感元件，测量精度高、信噪比高，但电路处理复杂； 压电式的位移敏感元件为压电晶体，其灵敏度高、结构简单，但传感器低频响应不好、且容易漏电造成测量误差； 光电式是利用光电元件接收透过狭缝的光通量变化来检测位移量的变化。 台阶仪的特点 台阶仪测量精度较高、量程大、测量结果稳定可靠、重复性好，此外它还可以作为其它形貌测量技术的比对。 缺点： 由于测头与测件相接触造成的测头变形和磨损，使仪器在使用一段时间后测量精度下降； 测头为了保证耐磨性和刚性而不能做得非常细小尖锐，如果测头头部曲率半径大于被测表面上微观凹坑的半径必然造成该处测量数据的偏差； 为使测头不至于很快磨损，测头的硬度一般都很高，因此不适于精密零件及软质表面的测量。 二 芯片前工艺（4） BOE 去除SiO2 ICP后的wafer表面已产生一定的高度差，即：露出N-GaN 蒸镀ITO 电阻率的测量 测量半导体材料的电阻率，可以采用四探针、三探针和扩展电阻等方法。四探针电阻率 / 方阻测试仪（以下简称电阻率测试仪）是用来测量半导体材料，以及扩散层、外延层、 ITO 导电箔膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它的优点是设备简单、操作方便，精确度高，对样品的形状无严格要求。 四探针法测量原理 四根探针有两种排列方式，一是四根针排列成一条直线，探针间可以是等距离也可是非等距离；二是四根探针呈正方形或矩形排列。 当稳流源通过1、4探针提供给试样一个稳定的电流时，在2、3探针上测得一个电压值V。根据电压、电流和探针的间距，可以计算出材料的电阻率 二 芯片前工艺（5） ITO蚀刻 没有光刻胶保护的区域ITO被盐酸蚀刻掉。 光刻胶保护的区域ITO留下 去除光刻胶后 PAD光刻 ITO刻刻 此部分光刻胶被显掉 光刻胶保护区域 放入蒸发台蒸镀金属电极，通常有做Ti/Al/Ni/Au 晶体振荡法测薄膜厚度 石英晶体振荡法测量薄膜厚度的原理是石英晶体振荡的频率会随着晶体上薄膜质量的变化而变化，属于一种通过薄膜质量来测量膜厚的方法，也被称为质量微天平。 可以适用于金属材料、半导体材料、氧化物等等的任何材料。 晶振法测薄膜厚度的特点 在薄膜沉积过程中，晶体振荡器的频率不断下降，随着膜厚的增加，石英晶体的灵敏度降低。当晶体上膜层厚到一定程度后，需要清洗或更换晶振头 石英晶振的优点：1. 装置简单，无需考虑光学系统；2.信号容易判读，随着膜厚增加，频率线性下降，与薄膜光学性质无关；3）可以在线监控，适合自动控制。 缺点：对于薄膜密度与沉积条件有关时，难于得到良好的重复性 二 芯片前工艺（6）