1-3半导体二极管资料.pptVIP

部分国产半导体高频二极管参数表 3）几种稳压管的参数 材料和结构：发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成。由于电子空穴的复合产生发光能量。是一种电变成光的能量转换器件。 电路中常用做指示或显示及光信息传送。 发光二极管的主要特性 (3) 最大耗散功率 PZM —— 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= UZ IZ，由 PZM和UZ可以决定IZmax。 (4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作 电流IZmin ————— 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =UZIZmax 。而Izmin对应UZmin, 若IZ＜IZmin则不能稳压。 (5)稳定电压温度系数—温度的变化将使UZ改变 温度的变化将使VZ改变，在稳压管中： 当?UZ? ＞7 V时，UZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。 当?UZ?＜4 V时，UZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。 当4 V＜?UZ ? ＜7 V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。 稳压二极管在工作时应反偏，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 0.25 30 ≤10 0.005 10 6.1-6.5 2CW7C 0.25 15 ≤50 0.095 5 13.5 – 17 2CW20 0.25 33 ≤15 0.06 10 6 —75 2CW14 耗散功率 W 最大稳定电流 mA 动态电阻 ? 温度系数 %/度 稳定电流 mA 稳定电压 V 参数 型号 由表可以看出2CW7C的性能比较好。温度系数小。其结构如下： 正向二极管 稳压管 温度补尝 4）简单稳压电路的工作原理，R为限流电阻。 IR = IZ + IL UO= UI – IR R 当UI 波动时(RL不变) ? ? ? 反之亦然 当 RL 变化时（ UI 不变） 反之亦然 UI UO R RL IL IR IZ 负载电阻 。 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。 5）稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2，可解得： 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 1.3.7 半导体二极管的测试 1) 半导体器件型号命名方法 2) 半导体二极管的识别与检测 (1) 目测判别极性 触丝 半导体片 (2) 用万用表检测二极管 在 R?1k 挡进行测量， 红表笔是(表内)负极 , 黑表笔是(表内)正极 测量时手不要接触引脚 1. 用万用表指针式检测 ?1k ? 0 ? 0 ? 0 一般硅管正向电阻为几千欧 锗管正向电阻为几百欧 正反电阻相差不大为劣质管 正反电阻都是无穷大或零 则二极管内部断路或短路 二极管的运用基础, 就是二极管的单向导电特性。 在应用电路中, 关键是判断二极管的导通或截止。 二极管导通时一般用电压源ＵＤ＝０.７V(硅管, 如是锗管用０.３V)代替, 或近似用短路线代替。 截止时, 一般将二极管断开, 即认为二极管反向电阻为无穷大。 1.3.8 半导体二极管的应用 应用举例 1. 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） （1）VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （2）VDD=1V 时 （自看） 2. 试求电路中电流 I1、I2、IO和输出电压UO的值。 解：假设二极管断开 UP = 15V UP UN 二极管导通 等效为0.7 V 的恒压源 UO= VDD1 ? UD(on)= 15 ? 0.7 = 14.3 (V) IO= UO / RL= 14.3 / 3 = 4.8 (mA) I2 = (UO ? VDD2) / R = (14.3 ? 12) / 1 = 2.3 (mA) I1= IO + I2= 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA) VDD1 VDD2 UO RL R 1kW 3kW IO I1 I2 15V 12V P N 第