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低频电子线路10级复习题
◆负反馈放大器可以____________非线性失真,____________通频带。
◆差动放大器可以放大____________信号,抑制____________信号。
◆三种基本组态(共射极、共基极、共集电极)放大器中,____________组态的输出电阻最低; ____________组态的输入电阻最低;____________组态兼有电流和电压两种放大作用。
◆场效应管是____________控制元件,而晶体三极管是____________控制元件。
◆直流负载线和交流负载线的交点即为________________________点。
◆放大器的电压放大倍数在低频段主要受____________电容和____________电容的影响。
◆当输入电压与____________相等时,____________类功率放大器的最高效率可达78.5%。
◆为保证三极管具有较强的正向控制作用,对晶体管内部结构的要求是:发射区掺杂浓度最____________,基区宽度应最____________;两个PN结外加偏置电压的极性应保证发射结____________偏和集电结____________偏。
◆PN结加反向电压时,其空间电荷区将变____________,此时结电阻____________。
◆.P型半导体中多数载流子为__________,少数载流子为__________。
◆.PN结的反向击穿有__________和__________两种击穿。
◆、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。
A、前者反偏、后者也反偏 B、前者正偏、后者反偏 C、前者正偏、后者也正偏
◆、时,不能够工作在恒流区的场效应管有 。
A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管
◆三极管工作在饱和状态时,其发射结__________,集电结__________。
◆当某三极管VBE=0.7V,VCE=0.3V,则该管工作在__________区,集电极电流和基极电流关系是__________。
◆场效应管的导电过程仅仅取决于__________载流子的运动;因而它又称做__________器件。
◆在场效应管放大电路中,就VGS而言,__________型MOS管是单极性的,而__________型MOS管可以是双极性的。
◆、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A、元件老化 B、晶体管参数受温度影响 C、放大倍数不够稳定 D、电源电压不稳
◆、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
◆A、便于设计 B、放大交流信号 C、不容易制作大容量电容
、集成运放中采用有源负载是为了 。
A、减少温度漂移 B、增大电压放大倍数 C、提高输入电阻
◆、放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的原因是 。
A、耦合电容和旁路电容的存在 B、半导体管极间电容和分布电容的存在
C、半导体管的非线性特性 D、放大电路的静态工作点不合适
◆放大器的失真分为__________失真和__________失真两大类。
.◆在相同条件下,阻容耦合放大电路的零点漂移__________,而直接耦合放大电路的零点漂移__________。
. ◆共发射极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________,共基极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________。
◆.设计一个负反馈放大电路,要使输入电阻增大应引入__________型负反馈,若要稳定输出电压应引入__________型负反馈。
◆为了稳定放大电路的输出电流且增大放大电路的输入电阻,应该引入 负反馈
A、电流串联负反馈 B、电压串联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压并联负反馈
◆功率放大电路负载上获得的功率来源于 。
A、输入信号 B、功率放大管 C、直流电源
◆、温度对晶体管参数的影响主要体现在 。
A、β、、 B、β、、 C、、、
◆、场效应管和三极管都可以放大电流,下列描述不准确的是 。
A、场效应管是电压控制电流元件、三极管是电流控制电流元件
B、场效应管是多数载流子(单种)导电、三极管是空穴和自由电子(两种)都参与导电
C、场效应管电压电流关系遵守平方律、三极管电压电流关系遵守指数律
D、场效应管输入电阻小、三极管输入电阻大
◆发光二极管(LED)在电子与空穴复合的过程中,有一部分能量以的形式放出,使
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