光电子器件第3章光电阴极和光电倍增管教程分析.pptVIP

3.1.1 外光电效应 当光照射某种物质时，若入射的光子能量足够大时，它与物质相互作用，致使电子逸出物质表面，这种现象称光电发射效应，又称外光电效应 . 长波阈值或红阈波长 : 3.1.2 金属的光谱响应 其它金属的逸出功都大于碱金属，为了测量它们的光谱响应峰值，就需要更短的紫外光. 3.1.3 半导体的光电发射 将半导体光电发射的物理过程归纳为三步： (1) 半导体中的电子吸收入射光子的能量而被激发到高能态（导带）上； (2) 这些被激电子在向表面运动的过程中受到散射而损失掉一部分能量； (3) 到达表面的电子克服表面电子亲和势EA而逸出。 3． 克服表面势垒而逸出 到达表面的光电子能否逸出还取决于它的能量是大于还是小于表面势垒。 对于大多数情况（非简并半导体），能够有效吸收光子的电子高密度位置是在价带顶附近， 半导体受光照后能量转换公式为: 根据光电发射逸出功 的定义：在绝对零度时光电子逸出表面所需的最低能量，可得该半导体的光电逸出功： 对于金属光电逸出功: 这是因为在绝对零度时光电子处在最高能量即费米能级，金属逸出功多数要大于3eV，所以金属的光谱响应大多在紫外区。 所以对于半导体，其光电逸出功和热电子发射逸出功是不同的。对于杂质发射体，其光电子发射中