模拟集成电路-2008年A(答案).docVIP

电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 二 学期期 终考试 模拟集成电路原理 课程考试题 A 卷 （ 120分钟） 考试形式： 开卷考试日期 200 8 年 月 日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 0 分， 实验 10 分， 期末 80 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 选择题（共20题，每题 2分，共40分） 对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B ) A. 单调增加 B. 单调减小 C. 开口向上的抛物线 D.开口向下的抛物线. 2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A ) Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小 3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C ) A 增大 B 不变 C 减小 D 可能增大也可能减小 4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A ) A．所有衬底PNP集电极电压必须相同. B．所有衬底PNP发射极电压必须相同. C．所有衬底PNP基极电压必须相同. D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定 5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A ) A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大. 6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A ) A 正, B零, C负, 可正可负 7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A ) A．大电流密度限制. B．Si-Al互熔问题. C．互联线的温度系数 D．是否形成欧姆接触. 8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些 A. 最大电压输出摆幅 B. 差模增益 C. 极点频率 D.功耗 9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以 ( C ) A. 提高电阻或电容自身的绝对精度, B. 提高电阻或电容自身的相对精度, C. 减小电阻或电容间的比例误差 D. 无影响 10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C ) A．差分管的对称性 B．电流源的交流阻抗 C．输入电压幅度 D．电阻RC1和RC2的对称性 11. Cascode电流镜的最小输出电压VMIN(out)的值为( C ) A．VON+VTN B.2(VON+VTN) C. 2VON+VTN D. VON+2VTN 12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A ) A, 都是饱和区 B. 一个是饱和区, 一个是线性区 C 都是线性区 D都是亚阈值区 13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性. A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负 14. MOS共栅放大器的特点是 ( D ) A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高 B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高 C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低 D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低 15. 电路的主极点是( D ) A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽 B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽 C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽 D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽 16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利 ( C ) A．增大有源负载管的宽长比. B．提高静态工作电流.. C．增大差分对管的沟道长度和宽度 D．提高器件的开启(阈值)电压 17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻 ( A ) A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求 D. 可高可低 18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A ) A.小得多 B相当, C 大得多. D不确定 19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以 ( C ) A. 提高电阻或电容自身的绝对精度, B. 提高电阻或电容自身的相对精度, C. 减小电阻或电容间的比例误差 D. 无影响 20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优. 简答题（共5题，每题4分， 共20分） 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点. 答: 基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅