二极管三极管场管资料.ppt

4 3 2 1 0 4 8 12 UGS =1V –2V –3V 输出特性 转移特性 耗尽型NMOS管的特性曲线 1 2 3 0V –1 0 1 2 –1 –2 –3 UGS / V 2. 特性曲线 ?ID ?UGS UGs(off) UDS / V UDS =10V 第1章 1.6 ID /mA ID /mA N型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 PMOS管结构示意图 P沟道 1.6.3 P沟道绝缘栅场效应管（PMOS） PMOS管与NMOS管 互为对偶关系，使用 时UGS 、UDS的极性 也与NMOS管相反。 P+ P+ 第1章 1.6 UGS UDS ID 1. P沟道增强型绝缘栅场效应管 开启电压UGS(th)为 负值，UGS UGS(th) 时导通。 S G D B 符号 ID /mA UGS / V 0 UGS(th) 转移特性 2. P沟道耗尽型绝缘栅场效应管 D B S G 符号 ID /mA UGS /V 0 UGS(off) 转移特性 夹断电压UGS(off)为 正值， UGS UGS(off) 时导通。 第1章 1.6 * D E 3V R ui uo uR uD 例2：下图是二极管限幅电路，D为理想二极管，ui = 6 sin? t V, E= 3V,试画出 uo波形 。 ? t ? t ui / V uo /V 6 3 3 0 0 ? 2? ? 2? –6 第1章 1.3 uR？ ? t 6 3 0 ? 2? 例3：双向限幅电路 ? t 0 3 –3 D E 3V R D E 3V 第1章 1.3 ui uo uR uD ui / V uo /V –3 1.4 稳压管 IF UF 0 正向特性 反向击穿区 UZ Imin IZmax DZ 正极 负极 符号 伏安特性 稳压管是一种特殊的 面接触型半导体二极管。 第1章 1.4 工作在反向击穿区 0 稳压管的主要参数 1. 稳定电压 UZ 2. 最小稳定电流 Imin 3. 最大稳定电流 IZmax 4. 动态电阻 RZ ?IZ ?UZ RZ = ? IZ ?UZ 5. 电压温度系数 ?VZT 6. 最大允许耗散功率PM 第1章 1.4 IF UF Imin IZmax UZ 工作在反向击穿区： 电流变化大，电压几乎不变 第1章 1.4 例题：已知ui = 10 sin? t V, UZ= 5.5V（稳压值）， 正向压降为0 .7V，试画出 uo波形 。 DZ UZ R ui uo uR ? t ? t ui / V uo /V 10 5 .5 5 .5 0 0 ? 2? ? 2? –0 .7 0 .7 解： I U 0 UZ Imin IZmax N型硅 二氧化硅保护膜 B E C N+ P型硅 1.5.1 半导体三极管的结构 （a） 平面型 N型锗 E C B 铟球 铟球 P P+ （b）合金型 1. 5 半导体三极管 第1章 1.5 1. NPN 型三极管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 N N 集电极C 基极B 发射极E 三极管的结构 分类和符号 P E C B 符号 第1章 1.5 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 C B E N 集电极C 发射极E 基极B N P P N 2. PNP型三极管 第1章 1.5 EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 1.5.2 三极管的电流控制作用 三极管具有电流控 制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置 （加正向电压）； （2）集电结反向偏置 （加反向电压）。 第1章 1.5 EB RB IB 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE 三极管的电流控制原理 电源正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB 第1章 1.5 VCC RC VBB RB C B E 由于基区很薄,掺杂浓度又很小,电子在基区扩散的数量 远远大于复合的数量。所以： IC IB 同样有: ? IC ? IB 所以说三极管具有电流控制作用,也称之为电流放大作用。 第1章