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* 模拟电路设计与制作---南京信息职业技术学院电子信息工程系 习题课 P1 习题课 半导体材料特性掌握 PN结导电原理了解 二极管特性: 单向导电性,伏安特性,发光特性,光电特性, 温度特性, 变容特性, 稳压特性 二极管应用了解: 开关、整流、限幅、稳压等 掌握内容: 二极管电路计算### 二极管认识,判断好坏,会用 复习: 二极管有哪些特性? 单向导电性 稳压效应 电容效应 伏安特性 U(V) 0 Is 0.4 0.8 5 15 10 20 U(BR) i(mA) 光电效应 温度特性 发光效应 LED 复习填空题 1. 本征半导体热激发时的两种载流子分别是 、 。 2. N型半导体多数载流子是 ,少数载流子是 。 P型半导体多数载流子是 ,少数载流子是 。 在常温下硅二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为 , 在常温下锗二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为 , 当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 ;当PN结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 ; A. 大于 B.小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变 7.PN结的空间电荷区有哪些称谓? 为何这样称谓? 二极管有哪些特性?其中最重要的特性是 。 想一想 5、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体 6、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电 7 、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零 1、在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为 ( A、本征半导体 B、P型半导体 C、N型半导体) 2、N型半导体中少数载流子为 (A、自由电子 B、空穴 C、带正电的杂质离子) 3、P型半导体是( A、带正电 B、带负电 C、中性) 4、PN结加正向电压时,其正向电流是 (A、多数载流子扩散形成的 B、多数载流子漂移形成的 C、少数载流子漂移形成的) 概念: B B C A 硅二极管和锗二极管在25℃时反向电流分别为0.1μA和10μA,试问在45℃时它们的反向电流各为多大?已知温度每升高10℃时,反向电流大致增大一倍。 解:由于温度每升高10℃,二极管反向电流增大一倍,所以当温度为35℃ 时,两种二极管的反向电流分别为0.2μA和20μA,当温度为45℃时,分别为0.4μA和40μA。 9、PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压) ( A、其反向电流增大B、其反向电流减小 C、其反向电流不变) 8、稳压二极管是利用PN结的 (A、单向导电性 B、反向击穿特性 C、反向特性) B C 1.15 试判断图1.40中的二极管是否导通,还是截止 ,并求出两端电压uAO 15v 12v 3K + - uAO (b) VD 6v 12v 3K + - uAO (a) VD + _ UD =-6+12=6V D通 UAO =-6V UD =-15+12=-3V D不通 UAO =-12V 6v 12v 3K + - uAO (d) VD1 VD2 15v 12v 3K + - uAO (c) VD1 VD2 VD1 = 12v VD2 = -15+12=-3v D1通 , D2截止 UAO =0V 3v 12v 3K + - uAO (c) VD1 VD2 优先导通, 另一重新判断 思考题: VD1 = -12v VD2 = -12+6=-6v D1 , D2截止 UAO =-12V 求输出电压u0 , D的导通电压为0.7v 3.6V 1.4V 0.3V +5V u0 D3 D2 D1 u0 =1V + - U0 3K 8V 3V 2K D1 D2 B C 9V U0 =8v 求: U0 =? 在图题电路中,D为锗二极管,uS= 5sinωt(V)。 (1)求二极管电流的直流分量; (2)求二极管电流的交流分量和在工作点处的交流电阻rd; (3)求二极管总电流,并画出电流波形。 (3)总电流 i总= I + i= 1+0.5 sinωt(mA) 解:(1)直流分量 I = = 1(mA) (2)交流分量 i = 0.5 s
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