ZnO材料的理论模拟计算设计.docVIP

摘 要 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理模拟计算方法，并结合平面波赝势方法，运用VASP软件包首先分为四个步骤优化了ZnO材料结构：(1)截断能的优化；(2)SIGMA的优化；(3)K格点的优化；(4)晶格常数的优化。为了优化原子位置，我们用扫描法得到一个关于晶格常数比c/a和晶格常数a的势能面，势能面的最低点即最稳定结构对应。ZnO材料三相之间相变关系的研究。鉴于WZ相到RS相的相变势垒、相变压强以及相变路径都有比较详细而具体的结果，而关于ZnO材料的WZ相到ZB相以及ZB相到RS相的相变情况的研究尚未见报道，又因为其他材料(CdSe，ZnS，SiC，InP)从ZB相到RS相的相变情况也已经有人研究过，相变势垒、相变路径以及原子的移动都给出了明确结果，并发现ZB相相变至RS相过程中存在一个中间TS相，唯独WZ相和ZB相之间的相变关系尚无报道，因此本文主要针对WZ相和ZB相之间的相变关系作了深入探讨，并给出了比较可能的相变路径(原子移动方向)和相变势垒(0.19eV/pair)，把相变势垒与从WZ结构到RS结构的相变势垒(0.15eV/pair)相比，相差仅为0.04eV/pair；而与GaN材料的相变势垒(0.26 eV/pair)相比，更是低了很多。所以WZ相和ZB相之间的相变，从相变势垒角度来分析是有可能发生的，而对于为什么在实验上没有观察到这两相之间的相变，本文