材料科学基础4-7讲晶格缺陷资料.pptVIP

g b 020 √ 0 √ 0 √ √ 200 √ √ 0 √ √ 0 √ 0 0 √ 0 √ 0 √ √ √ √ √ 例如 A： ，B: 面心立方全位错的全部类型及不可见判据中的操作g 图5.40 室温形变形成的位错衬度分析 (a)明场像,电子束方向 ;(b)中心暗场像,电子束方向[011]; (c) 中心暗场像,电子束方向[112] 位错伯氏矢量的测定 g A B 图5-40 1(b=1/3[211]) 2(b=1/3 ) 1(b=1/3 ) 2(b=1/3 ) 观察值 g·b 观察值 g·b 观察值 g·b 观察值 g·b 220 V. 2 V. 2 V. －2 I.V. 0 (a) I.V. 0 V. 2 V. －2 V. －2 (b) V. 2 V. 2 V. －2 I.V. 0 V. 2 I.V. 0 I.V. 0 V. 2 I.V. 0 V. －2 V. 2 V. 2 R.C. －2/3 V. －4/3 R.C. 4/3 V. 2/3 (c) 注：“V.”：可见，“I.V.”：不可见，“R.C.”：残余衬度。 表5.6 室温形变形成的位错的g?b值