1_第一章 半导体器件 -PN结及二极管.pptVIP

小信号分析法：学会静态分析和动态分析。 交流电 源小，直流电源大。 1）首先考虑直流电源单独作用，即ui=0V时，求得二极管静态工作点ID，UD 2）当考虑小信号电源ui 存在时( 直流电源V 仍作用)，此时二极管在工作点 Q处产生变化量 id,ud 此电路称为在工作点Q(UDQ, IDQ)处的微变等效电路(小信号等效电路)。 上述分析方法 称为微变等效电路分析法。 IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) UR— 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 反向电流 IR：即IS，越小单向导电性越好 PN结电容效应:PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容Cj A、势垒电容CB（Barrier) :势垒电容是由空间电荷区形成 势垒电容：PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 扩散电容： PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容： 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！ 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。 高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向 导电性变差。 3. 结面积小时结电容小，工作频率高。 什么是击穿？PN结当反向电压增