YLQ-1.材料物理名词解释.docVIP

电导率：电导率是电阻率的倒数电导率σ，σ=1/ρ。电导率的物理意义是表示物质导电的性能。电导率越大则导电性能越强，反之越小。电导是电阻的倒数，电导率是电阻率的倒数。电导率与温度具有很大相关性。金属的电导率随着温度的增高而降低。半导体的电导率随着温度的增高而增高。离子电导：离子晶体中，由于热缺陷或杂质的引入而形成的缺陷，脱离格点的填隙离子或空格点的正、负定向移动，参与导电过程。电子电导：主要是由杂质本身及杂质形成的各种缺陷，特别是俘获了电子或空穴的各种缺陷在电场的作用下发生电离过程。霍尔效应：霍尔效应的产生是由于电子在磁场作用下，产生横向移动的结果，由于离子的质量比电子的大的多，磁场的作用力不足以使离子产生横向位移，因此纯离子电导不呈现霍尔效应。 本征电导：晶体中，正负离子随热运动而离开晶格形成热缺陷或晶体受热激发而产生可动电子和空穴，热缺陷或激发的电子和空穴能定向移动及电离，从而参与导电的过程。两种载流子的浓度相等，电导率与温度有关。本征导电极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受热激发后，价带中的部分电子越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子空穴对，均能自由移动，即载流子，载流子在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。非本征电导杂质电导：是通过引入外来杂质而产生缺陷（填隙离子或空格点的正负离子）或可动的电子、空穴在电场作用下参与导电的过程。两种载流子的浓度不等，电导率取决于杂质数量。 不含杂质且无晶格缺陷的半导体。P型半导体：四价的本征半导体，掺入少量三价杂质元素。n型半导体：四价的本征半导体，掺入少量价杂质元素。施主掺杂：通过引入高价金属离子或在晶格内形成氧空位或填隙金属离子缺陷，在晶格周围产生剩余电子，被由高价金属离子或氧空位或填隙金属离子所形成的正电中心所束缚，这种束缚是弱束缚，在导带下面形成施主能级的掺杂形式。受主掺杂：通过引入低价金属离子或形成金属离子空位缺陷，形成负电中心，在价带顶部形成受主能级的掺杂形式。由电子或离子在一个空间区域内形成的电荷。P-N结中，电子和空穴带有相反电荷，它们在扩散过程中产生复合（中和），使P区和N区中原来的电中性被破坏。 P区失去空穴留下带负电的离子，N区失去电子留下带正电的离子， 这些离子因物质结构不能移动，称空间电荷空间电荷集中在P区和N区的交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，P-N结。 控制材料的导电性能实际上就是控制材料中的载流子的数量和这些载流子的移动速率。 对于金属材料来说，载流子的移动速率特别重要。 从连续能量分布的价电子在均匀势场中的运动， 到不连续能量分布的价电子在均匀势场中的运动， 再到不连续能量分布的价电子在周期性势场中的运动， 分别是经典自由电子论、量子自由电子论、能带理论。 这三种分析材料导电性理论的主要特征。 未填满电子的能带称为导带。 由价电子能级分裂而成的能带称为价带。 在能带之间没有可能量子态的能量区域叫禁带。 超导体：随着温度的降低，电阻率会逐渐降低。有些材料在冷却到某一低温Tc时，材料的电阻变为零，电流可以在材料中无限的流动，材料呈现超导状态，称此材料为超导体。 电介质四大基本参数：电导：电介质在电场作用下存在泄露电流。介电常数：以电极化的方式传递、存贮或记录电的作用。介电损耗：电介质在电场的作用下存在电能的损失。击穿：在强电场下可能导致电介质的破坏。 偶极子：在电场作用下，正负束缚电荷只能在微观尺度上作相对位移，不能作定向移动。正负束缚电荷的相对偏移产生感应偶极矩，正负电荷形成一个偶极子。 束缚电荷：在电介质中，原子，分子或离子中的正负电荷以共价键或离子键的形式被相互强烈地束缚着，通常称为束缚电荷。 由电子或离子在一个空间区域内形成的电荷。P-N结中，电子和空穴带有相反电荷，它们在扩散过程中产生复合（中和），使P区和N区中原来的电中性被破坏。 P区失去空穴留下带负电的离子，N区失去电子留下带正电的离子， 这些离子因物质结构不能移动，称空间电荷空间电荷集中在P区和N区的交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，P-N结。介电强度：介质材料在电场作用过程中，常因承受的超过一定数值而失去绝缘能力，出现击穿现象。击穿时的电场强度称为介电强度或击穿场强Eb。介电常数：以电极化的方式传递、存贮或记录电的作用。介电损耗：击穿：加在电介质上的电场强度超过某一临界值时，——电介质所能承受的不被击穿的最大场强。 击穿电压——电介质（或电容器）击穿时两极板的电压。 固体电介质的击穿有电击穿、热击穿、电化学击穿、放电击穿等形式。绝缘结构发生击穿，往往是电、热、放电、电化学