CMOS工艺基础摘要.pptVIP

金属互连层形成 1、圆片 工艺技术 P型(111) P型(100) n型(111) 100 110 111 定位边或定位槽 直径以100mm(4英吋)-300mm(12英吋)为主。 n型(100) 2、光刻(Photolithography):将光刻版上的图形转移到硅片上的过程 负性光刻胶：未曝光的光刻胶被溶剂去掉 正性光刻胶：曝光的光刻胶被去掉 光源的波长 Vs. 特征尺寸 436或365nm水银灯：um 248nm氟化氪准分子激光器：180nm-0.25um 193nm 氟化氩准分子激光器：90nm X-射线光刻： 电子束光刻： 3、阱与沟道的形成 掺入杂质的方法： 外延法：通过将硅圆片表面暴露在高温下的掺杂源材料中，而在表面生长一单晶薄膜。 扩散法：将杂质材料放在硅表面，通过高温扩散工艺使杂质进入硅体中。 离子注入法：高能施主或受主杂质离子注入硅中，形成具有各种掺杂浓度的区域，高温退火。形成阱、源、漏区标准方法。 阱将器件与衬底隔离 演示离子注入模拟 4、 二氧化硅 二氧化硅在制造工艺中占极其重要的地位 氧化方法： 湿氧化：水蒸汽。温度900-1000C。快速工艺。用于场氧化层。 干氧化：纯氧，温度1200C。干氧层质量好，用于栅氧化层。 原子层淀积：将一层较薄的化学物品附在表面上，然后引入另一种化学物品，形成所需的薄二氧化硅层。 习题：请计算在热氧化过程 中，形成200n