温度传感器3重点解析.ppt

2、读取温度值 读取RAM内的温度数据 ds18b20_reset(); ds18b20_write_byte(SKIP_ROM); ds18b20_write_byte(READ_SCRATCHPAD); 五、实时温度采集（读温度）程序设计 初始设置，没有，按缺省 Ds18b20_read_byte() 2次 Ds18b20_write_byte(0xcc) Ds18b20_reset() Ds18b20_write_byte(0x44) Ds18b20_reset() Ds18b20_write_byte(0xcc) Ds18b20_write_byte(0xbe) Delay_nms(800) Ds18b20_reset() Write_byte(0xcc) Ds18b20初始化 从ds18b20读温度 定义int型变量wenduzhi放温度值的高、低8位共16位 2、在LCD上进行显示 void main() { unsigned char xdata str[10]; ds18b20_init(); LCM_Init(); while(1) { ds18b20_read_temp(); sprintf(str,%d.%d,(int)disp_eger,(int)disp_temp.decimal); Write_Command_LCM(0x01); //clear Display_List_Char(0,0,Temperature:); Display_List_Char(1,3,str); } } 任务6 在LCD上显示 画面1：开机画面 画面2： temperature is: × × .× ℃ 画面3： TH is: × × ℃ TL is:× × ℃ 画面2、3通过按键切换 TH、TL分别是程序设定的温度上、下限值，如果低于下限或高于上限，发出扬声器1s周期报警 拓展训练1： 在任务6的基础上，用户可以通过按键调整TH、TL的值 拓展训练2： 在拓展训练2基础上，增加画面4显示时间，并且可以通过按键调节时间 画面2、3、4通过按键切换 * 对DS18B20进行初始化复位操作 DS18B20在检测到t1时刻的上升沿之后，等待60μs，即t1~t2时长。 并在随后的240微秒时间内对总线进行检测，如果有低电平出现说明总线上有器件已做出应答。若无低电平出现一直都是高电平说明总线上无器件应答。在图3-2中为虚线所示。 while(DQ) ; //接收到存在脉冲信号，跳出循环 delay_nus(200); 复位过程:要求主机将数据线下拉480~960us,然后释放,ds18b20在总线释放后16~60us内发送一个存在脉冲,主机收到此信号表示复位成功. 初始化程序 void ds18b20_reset() { DQ = 1; DQ = 0;//拉低总线 delay_nus(600); //精确延时在480-960us DQ = 1;//总线释放 while(DQ); //等待存在脉冲，若为高电平，则一直等待 delay_nus(200); } 为了完成一次温度转换功能，我们接着需要分别对ROM、RAM 进行读取操作。 以命令44H为例：执行一次温度转换指令，要向RAM内写入44H=0100 0100 ，命令芯片开始工作。 单线型芯片通信属于串行通信方式，也即是说，在一根数据线上单片机根据时序向芯片写入0100 0100 这一组二进制数，实现转换功能。 既然我们的指令是转换成二进制代码进行读写的，那么我只需知道如何向芯片写入“0”和“1” 即可实现所有命令功能。 2、写时序图 (2)写时间隙 图3-4 a为写“0”时序 b为写“1”时序 a b 时序图分析 从图3-4中，可以看出写时序开始时DQ都为高电平 ，t0时刻为高电平，此时主机认为开始写入数据。 从t0到t1时刻，共计60μs，时间分为2段。 第一个15μs之内应将所需写的位送到总线上。 此时，写入数据“0” DQ = 1; DQ = 0; DSl8B20在t0后15-60us间对总线采样，若低电平写入的位是0，见图3-4 a；若高电平写入的位是1，见图3-3 b 连续写2位数据，间隙应大于1us delay_nus(60); DQ = 1; _nop_(); _nop_(); 写0 void ds18b20_write_bit0() {