3三极管914教程讲解.pptVIP

1. PN结的形成 2. PN结的单向导电原理 3. 二极管的伏安特性 4. 二极管电路分析 * 2.3 半导体三极管 1.三极管的电流放大原理 2.三极管的共射特性曲线 3.三极管的主要参数 1. 温度升高，本征半导体导电能力显著增强，为什么？ 温度越高，晶体中产生的自由电子便越多 2. 本征半导体两端加上外电压时，半导体中出现两部分电流，分别是？ 价电子递补空穴 自由电子电流，空穴电流 3. 空穴电流的本质是？ 4. 什么是正向偏置？ P接正、N接负 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 区 N 区 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 扩散的结果使空间电荷区变宽。 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 形成空间电荷区 PN 结变窄 外电场 IF 内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 在外电场作用下，P区中的空穴向右移动，与空间电荷区的一部分负离子中和，N区中的电子向左移动，与空间电荷区的一部分正离子中和。 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – PN 结变宽 外电场 内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。 IR 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加 – + 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 外电场使P区中的空穴和N区中的电子各自向远离耗尽层的方向移动。 硅0.5V,锗0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 特点：非线性 硅0.7V锗0.2V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.7V 锗0.2V 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V B E C N N P 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 发射结 集电结 三极管具备电流放大作用的内部结构条件: 1. 三极管的电流放大原理 B C E RB － EB + RC EC + － NPN型 N P N 发射结正偏，集电结反偏 三极管实现电流放大作用的外部条件： UB UE (EC EB) B C E PNP型 P N P UB UE RB － EB + Rc EC + － UC UC B E C N N P EB RB EC IE IB IC ICBO 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE 进入P区的电子少部分与的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结 从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO (1) 载流子的传输过程 B E C N N P IE RC EC + － RB EB － + IB IC ICBO (2) 三极管的电流分配关系 IE = IB+IC IB与IC成固定比例 发射极电流 集电极电流 基极电流 直流电流放大系数 仔细观察以下实验数据: IC(mA) IB (mA) IE (mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 2. IC = βIB 得出结论： 1. IE = IB+ IC 3. IC IB 4. IE ≈ IC 故我们说：三极管是一个电流控制器件，且能 实现信号的放大作用。 5. IB的小变化能引起 IC的大变化 三极管在电路中的三种连接方式： 共发射极 共基极 共集电极 输 入 输 出 输 入 输 出 输 入 输