半导体制造chinese解析.docVIP

2 半导体制造 在电子学中半导体器件已经被使用很久了。在19世纪末期第一个固态整流器就被开发出来了。1907年发明的方铅矿晶体检波器被广泛的用来制作晶体收音机。到1947年，在充分理解半导体物理的基础上，Bardeen和Brattain都制作出了第一只双极型晶体管。1959年，Kilby制作的第一块集成电路，从此揭开了现代半导体制造时代的序幕。 制造大量的可靠的半导体器件的障碍本质上来说主要是技术性而不是科学性的。对于制作材料的严苛的纯净度和精确尺寸的控制的要求使得早期的晶体管和集成电路无法发挥他们应有的潜能。早期的器件还不如说是实验室好奇心的产物。大量生产需要的是一种全新的技术，且这种技术还在不断的快速进步。 本章将简单的整体阐述现代集成电路生产的工艺技术。第3章讨论生产特殊型号的模拟集成电路的三种具有代表性的工艺。 2.1 半导体生产 集成电路通常用硅制造，一种非常普遍且分布广泛的元素。石英矿就是一整块二氧化硅，或叫做silica。普通的沙子就是由小石英颗粒组成的，所以它主要也是silica。 尽管硅化物储量丰富，但硅本身不会自然生长。它是通过在电炉里人工加热silica和碳来制得的。碳和原本silica中的氧结合，留下或多或少熔融状态的硅。当它冷却时，无数微小的晶体就形成了，他们又会合成在一起形成有细密纹理的灰色固体。这种硅被称为多晶硅，因为它是由大量晶体组成的。杂质和混乱的晶体结构使这冶金级别的多晶硅不适合半导体制造。 冶金级别的硅能进一步提纯而产生特别纯净的半导体级别物质。净化从把天然硅转化为易挥发性化合物，通常是trichlorosilane，开始。经过反复的蒸馏后，用氢气把特别纯的trichlorosilane还原为硅。最终的产物非常纯净，但仍旧有多晶体。实用的集成电路只能用单晶物质制造，所以下一步就是生长一个适合的晶体。 2.1.1. 晶体的生长 晶体的生长原理非常简单和熟悉。假设在最终要蒸发的饱和溶液中加入一些糖晶体。糖晶体的作用是作为额外的糖分子沉积的种子。最后这个晶体能生长的非常大。晶体的生长即使在缺乏种子的情况下也会发生，但产物中会有混乱的小的intergrown晶体。通过抑制不需要的晶核区，种子的使用能生长更大，更完美的晶体。 理论上，硅晶体的生长方式和糖晶体的一致。实际上，不存在适合硅的溶剂，而且晶体必须在超过1400℃的熔融状态下生长。最终的晶体至少有一米长，十厘米的直径，如果他们要用在半导体工业上的话还必须有接近完美的晶体结构。这些要求使得工艺很有挑战性。 通常生产半导体级别的硅晶体的方法是Czochralski工艺。这个工艺，图2.1，使用装满了半导体级别的多晶体硅的硅坩锅。电炉加热硅坩锅直到所有的硅融化。然后温度慢慢降低，一小块种子晶体被放到坩锅里。受控制的冷却使硅原子一层一层的沉积到种子晶体上。装有种子的棒缓慢的上升，所以只有生长中的晶体的低层部分和熔融的硅有接触。通过这个方法，能从融化的硅中一厘米一厘米的拉出一个大的硅晶体。装有晶体的轴缓慢的旋转，保证生长的均匀性。熔融硅的大表面张力把晶体变成了圆柱形而不是棱柱。 图2.1 生长硅晶体的Czochralski工艺。 为了得到需要的纯度和尺寸的晶体，Czochralski工艺要求精确的控制。自动化系统控制了熔化物质的温度和晶体生长的速度。把少量的掺杂多晶硅加到熔融状态的硅中就能控制晶体中的掺杂浓度。除了故意加入的杂质，silica坩锅里的氧和加热物质中的碳会溶解到熔融状态中的硅，混合进生长中的晶体。这些杂质会很微妙的改变最终硅的电学特性。一旦晶体生长到它的最终尺寸，它就会从熔融的液体中提起来，慢慢的冷却到室温。最终的单晶硅圆柱体叫做ingot。 由于集成电路只是在硅晶体的表面形成，并不会穿透表面很深，所以ingot通常会被切成很多圆形的薄片，这就是wafer。每片wafer能制作出成百上千甚至上万的集成电路。Wafer越大，能制作的集成电路越多，经济成本也就越低。大多数现代工艺用150mm（6’’）或200mm（8’’）的wafer。通常长度在1到2米的ingot能产生上千片wafer。 ? 2.1.2. wafer的制造 ? Wafer的制造涉及到一系列的机械工艺。Ingot两头的锥形末端会被切掉。剩下的就被磨成圆柱体，它的直径就决定了最后的wafers的尺寸。研磨后就没有看得见的晶体方向标志了。晶体的方向是由实验确定的，沿着ingot的某个边会磨出一个平面。每个从它上面切下来的wafer就会有一个刻面，或flat，这样就明白无误的指出了晶体的方向。 ? 研磨出flat后，制造商就用带钻石嘴的锯子把ingot切成wafers。这道工艺中，有大于三分之一的宝贵的硅晶体就这样变成了没用的粉尘。由于要经过切割工艺，wafers的表面都是刮痕。