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第3章 应变式传感器
3-5.解:(1)
(2)
(3)
3-6. 解:(1)
(2)因为,于是
(3)若要减小非线性误差,可采用半桥电路或者全桥电路。
半桥电路: 非线性误差为零
全桥电路: 非线性误差为零
3-7.由教材表3-1知,康铜灵敏系数为K0=1.9~2.1,不妨取K0=2.05。
第5章 电容式传感器
5-3.解:可采用运算放大电路(与教材图5-12略有不同)。
电路图如:Ui是交流电源,C1是外接固定电容,C是传感器电容,U0是输出电压。
理想运放:U+=U-,I+=I-=0
于是
又液位计满足
所以
即输出电压Uo与液位h成线性关系。
说明:不能用双T形交流电桥和脉冲宽度调制电路,因为它们都只适用于差动式电容传感器。
5-6.
解:参考图4-6,可得电路图如。
差动变隙式传感器:
第4章 电感式传感器
4-5.①产生原因:
(a)差动式传感器不对称,此时的零点残余电压对应基波成分。
(b)磁饱和、磁滞现象和电源含有高次谐波成分,此时的零点残余电压对应高次谐波成分。(c)电源含有高次谐波成分
②补偿措施:
(a)根据产生原因有针对的采取措施:尽量使传感器对称,工作电压不能太高,使用高质量电源。(b)线路补偿。它只能补偿传感器不对称带来的零点残余电压(基波成分)。
第6章 压电式传感器
6-2.解:x轴叫做电轴,因为发生压电效应时,不论外力沿哪个方向,电荷总是出现在与x轴垂直的方向上,故叫电轴。
y轴叫做机械轴,当沿y轴加力Fy时,则会在垂直于x轴的平面上产生电荷,式中的d12为常数,a、b是石英晶片的长度和厚度。于是,此时适当选取a和b的值,可以使得石英晶片的灵敏度较大。故通常外力加在y轴上,y轴叫做机械轴。
z轴叫做光轴,因为光只有沿该方向,才不会产生双折射现象,故叫光轴。外力沿光轴时,不发生压电效应。
6-3.解:1.结构:压电陶瓷是人工合成的多晶体压电材料。它是由许多自发极化的电畴组成,故电畴内部存在电场。没加外电场时,电畴杂乱无章,对外显电中性。
2.特点:(1)压电陶瓷只有加外电场进行极化后,才具有压电效应。(2)压电陶瓷的压电系数比石英晶体的大得多, 故其灵敏度较高。(3)极化处理后的压电陶瓷材料的剩余极化强度和特性与温度有关,也随时间变化, 故其稳定性不如石英晶体。
6-5.解:1.电荷放大器要解决的核心问题是:解决电压放大器存在的输出电压与连接电缆电容有关的缺点。
2.第7章 霍尔传感器
7-8.解:R:外接电阻,Ri和Ro:霍尔传感器输入和输出电阻,RL:负载电阻。
Us:恒流源,UH:霍尔电压,UL:负载电压
所以
于是有
分2种情况:(1)RL不大,可解出
即外接电阻初始值R0随温度t变化而变化,这是不可能的,故无法达到温度补偿。
()RL很大(认为RL→∞,霍尔端开路),于是有
解得温度补偿条件:
7-9.
解:U1,U2:被测电压,R1,R2:外接电阻
于是2个回路中的电流为:,式中Ri是霍尔元件输入电阻
设I1所在导线距霍尔传感器的距离为r,并把I1看成无限长直导线,则I1在传感器处的磁场为
于是霍尔电势为
可见测出霍尔电压就可测出电压的乘积。第8章 光电式传感器
8-2.解:1.工作原理:
(1)光敏电阻:其工作原理是光电导效应,即:
光子照在半导体上,如果hν Eg,则电子从价带变到导带(价电子变成自由电荷),电阻减小。
(2)光敏二极管:使用时二极管加反向电压。
(a)无光照时,二极管反向偏置, I 很小 ,此时是暗电流。
(b)有光照且ν Eg/h时,电子从价带变到导带,反向电流(光电流)I增加。而且光强越大,光电流就越大。
对于光敏三极管,和光敏二极管工作原理(本质上也属于光生伏特效应)差不多,只是输出电流更大。
(3)光电池:其工作原理是光生伏特效应,即:
有光照时且ν Eg/h时,半导体电子从价带变到导带,在节电场作用下,P区积累正电荷N区积累负电荷,这样就产生了光生电势。
2.特点:
(1)光敏电阻:优点是光谱特性好、允许的光电流大、灵敏度高、使用寿命长、体积小等优点。
缺点是型号相同的光敏电阻参数参差不齐,并且由于光照特性的非线性,不适宜于测量要求线性的场合,常用作开关式光电器件。
(2)光敏二极管和光敏三极管:频率特性是所有光电器件最好的;其光照特性也很好,可用于线性传感器。
(3)光电池:光电池在使用时不需要外接电源。
硅光电池:价格便宜,光电转换效率高,寿命长,测量对象是红外线,目前应用最广泛。
硒光电池:效率低,寿命低,但峰值波长在0.56μm,可用于制造照度计。
砷
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