第章_晶体管晶体管逻辑(TTL)电路解读.ppt

Vi R1 1.4KΩ R2 780Ω R5 25Ω RB 250Ω Q1 Q4 Q5 Q2 VCC=5V V0 R4 2kΩ Q3 Q6 图题 4.5 系列 STTL 与非门 RC 150Ω 1 2 B1 B2 B3 B4 分析该电路在导通态和截至态时图中各节点的电压和电流 假定：各管的b=20，VBEF=0.7V,VBCF=0.55V,VCES=0.4～0.5V VCES1=0.1～0.2V 图 4.5 六管单元与非门电路 Vi R1 2.8KΩ R2 760Ω R5 58Ω RB 500Ω Q1 Q4 Q5 Q2 VCC=5V V0 R4 3.5kΩ Q3 Q6 RC 250Ω 3.5 3.0 2.5 1.5 0.5 1.0 2.0 0.5 1.5 2.5 3.5 Vi/V V0/V Vcc=5V TA=25℃ 图 4.6 六管单元电压传输特性 取代R3的 泄放回路 当Q5导通且饱和后，Q6也逐渐导通进入饱和，对Q5管进行分流，使Q5管的饱和度变浅(所以这种电路又称为浅饱和电路或抗饱和电路)。由于Q5管工作在浅饱和状态，超量存储电荷相应减小，因而Q5退出饱和的速度得到提高。 在截止瞬态，由于Q6管的基极没有泄放回路，完全靠自身的复合消除存储电荷，所以Q6管比Q5晚