电力电子半导体器件(IGBT)讲解.pptVIP

第七章 绝缘栅双极晶体管 （IGBT) §7.1 原理与特性 §7.2 门极驱动 §7.3 IGBT的保护 §7.4 应用实例 第八章 新型电力半导体器件 2．过电流的识别： 采用漏极电压的识别方法，通过导通压降判断漏极电流大小。进而切断门极控制信号。 注意：识别时间和动作时间应小于IGBT允许的短路过电流时间（几个us），同时判断短路的真与假，常用方法是利用降低门极电压使IGBT承受短路能力增加，保护电路动作时间延长来处理。 3．保护时缓关断： 由于IGBT过电流时电流幅值很大，加之IGBT关断速度快。如果按正常时的关断速度，就会造成Ldi/dt过大形成很高的尖峰电压，造成IGBT的锁定或二次击穿，极易损坏IGBT和设备中的其他元器件，因此有必要让IGBT在允许的短路时间内采取措施使IGBT进行“慢速关断”。 采用电流互感器和霍尔元件进行过流检测及过流保护： 三、缓冲电路 利用缓冲电路抑制过电压，减小dv/dt。 50A 200A 200A 缓冲电路参数估算： 缓冲电容： L——主回路杂散电感（与配线长度有关） I0——关断时漏极电流 VCEP——缓冲电容上电压稳态值（有安全区确定） Ed——直流电源电压 缓冲电阻：在关断信号到来前，将缓冲电容上