电子设计竞赛电源类精要.ppt

Component1:Power Diode 一个实验结果 Component2: Grant Power(1) GRT的特点及应用 二.二次击穿 Component2: Grant Power(2) Component3:MOSFET(1) 2.Symbol and the output characteristic 3.The safety operational area 4. PM的等效电路 5、纯阻负载下PM的开关过程 6、感性负载下PM的开关过程 7.电容VS.uds 8、栅极电荷特性 Component4:IGBT(1) 一.IGBT特性曲线 IGBT的特点 MOSFET与IGBT的驱动电路 过流保护问题 1.电路结构: 有两个通道,H为高压通道,L为低压通道,两个通道在输入级为共地, 输出级的隔离电压为500V,即5脚与2脚之间可以承受-5V~500V的电 压.这个电路包含有入级,电平转换级和出级 2.输入级: 9脚:VDD的电源电压=5~20V,13脚为输入级的参考点 10脚:Hi高压通道的输入端 12脚:Li低压通道的输入端 11脚:SD封锁信号 高电平,两路信号均被封锁 低电平,两路信号均可以输出 SD= 3.电平转换电路: LS1的输入端的电源为VDD和VSS,输入端的电源为VCC(3)与Com(2) LS2的输入端的电源为VDD和VSS,输入端的电源为VB(6)与VS(5) 4.输出级： 低压侧通道：由T3，T4组成的推挽电路，使得这个电路的最大输出 为2A 供电电源为：VCC(3)和Com(3) 高压侧通道:供电压VB(6)和VS(5) 5.工作波形: 双电源供电 9 6 7 5 10 3 Hi Li 2 13 H0 15V 15V L0 * 一.基区电导调制效应----原始基片电导是电流的函数 二.Reverse recovery 1、现象 2、成因 3、危害 实验条件：U=300V，D=1/3 F=40KHZ，T：IRFP460 I0=6A 选用三个二极管 D1：RURU3012，30A，1200V D2：IXYS,DESI30-06A，30A，600V D3：新一代二极管ISL91560P2，15A，600V IRM1=17A, IRM1/I0=2.8;IRM2=10A, IRM2/I0=2 ； IRM3=5A, IRM1/I0=0.8 结论:1.二极管反向恢复电流与其耐压成正比;2.新一代二极管明显优于传统超快恢复二极管。 1.Structure.Lc --Current source; td:延迟时间：Ube=0?0.5v;tr:上升时间，ic=0?Ic,Id;tfv:T 由放?饱；Ton=td+tr+tfv ts:存储时间;trv:T处于放大区的时间T由放?截 ;tfI:2, ic= Ic ?0, 。The operational process 一.Dynamic waveforms 1.开关频率低,最高开关频率约为5KHZ.GTR的电流是少子的扩散形成的电流，在高注入下产生剩余载流子，在关断时，需要通过抽出和复合来消除，因此，关断时间长。 2、输入电阻少：流控元件，驱动功率大； 3、开关容量大； 4、导通压降低； 一次击穿：Uce?=Buceo,Ic ? ?,雪崩击穿； 特点：Ic ? ?, Uce=Buceo?Constant 二次击穿： Ic ? ?A点,P=UsBIsB…..临界（触发）能量…T失控….出现负阻区,局部过热,烧坏. IB(IC)?,A点左移 FIG.1.14,二次击穿的临界线 BUceo 三.FBSOA /RBSOA 正向脉冲宽度 Ton=10ms 1ms,50us 壳温?,Pcm 和 二次击穿的临界线? 二次击穿的临界线 BUceo 1.structure and operational principle The current channel ..V-Groove If Vgs0, there is a inversion layer at the surface of P. This inversion layer provides a channel for the current from D to S. 1).只有参与多子导电 ------High speed 2).On –resistor :器件的耐压；A是面积。增加，---尽量不用高压器件 has a positive temperature coefficient; If T increase, increase too.------Parallel 3). Nearly infinite