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* silicon substrate gate contact holes drain source （9）欧姆接触 * silicon substrate gate contact holes drain source * 完整的简单MOS晶体管结构 silicon substrate source drain gate oxide oxide top nitride metal connection to source metal connection to gate metal connection to drain polysilicon gate doped silicon field oxide gate oxide * CMOSFET P型 si sub n+ gate oxide n+ gate oxide oxide p+ p+ 谢谢！ * * 早在1830年，科学家已于实验室展开对半导体的研究。 他们最初的研究对像是一些在加热后电阻值会增加的元素和化合物。这些物质有一共同点，当它们被光线照射时，会容许电流单向通过，可藉此控制电流的方向，称为光电导效应。 在无线电接收器中，负责侦测讯息的整流器，就是一种半导体电子仪器的例子。 到了1874年，电报机、电话和无线电相继发明，使电力在日常生活中所扮演的角色，不再单单是能源的一种，而是开始步入了信息传播的领域，成为传播讯息的一种媒介。而电报机、电话以及无线电等早期电子仪器亦造就了一项新兴的工业──电子业的诞生。? * IDM 、 FABLESS 1 * 8 8 8 8 8 8 8 8 8 3 1 * 9 9 9 9 9 9 9 9 9 4 1 * 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 1 * 11 11 11 11 11 11 11 11 11 6 1 * 12 12 12 12 12 12 12 12 12 7 1 * 13 13 13 13 13 13 13 13 13 8 1 * 14 14 14 14 14 14 14 14 14 1 * 15 15 15 15 15 15 15 15 15 9 1 * 17 17 17 17 17 17 17 17 17 11 1 * Polysilicon gate is patterned before source and drain are created – thereby actually defining the precise location of the channel region and the locations of the source and drain regions. This allows for very precise positioning of the source and drain relative to the gate. Note that can’t completely stop lateral diffusion – accounts for difference between drawn transistor dimensions and actual ones 1 * 18 18 18 18 18 18 18 18 18 12 1 * 19 19 19 19 19 19 19 19 19 1 * 20 20 20 20 20 20 20 20 20 13 1 * 21 21 21 21 21 21 21 21 21 14 1 * 22 22 22 22 22 22 22 22 22 15 1 * 23 23 23 23 23 23 23 23 23 1 * 24 24 24 24 24 24 24 24 24 1 * * 超净 环境、操作者、工艺三方面的超净，如超净室，ULSI在100级超净室制作，超净台达10级。 超纯 指所用材料方面，如衬底材料、功能性电子材料、水、气等； Si、Ge单晶纯度达11个9。 高技术含量 设备先进，技术先进。 高精度 光刻图形的最小线条尺寸在深亚微米量级，制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。 大批量，低成本 图形转移技术使之得以实现。 集成电路制造技术特点 -------超净室 这些微小颗粒的主要问题是在空气中长时间漂浮。而洁净工作室的洁净度就是由空气中的微粒大小和微粒含量决定的。 美国联邦标准209E规定空气质量由区域空气级别数来决定的。标准按两种方法设定，一是颗粒的大小，二是颗粒的密度。 而级别数是指在一立方英尺中含有直径为0.5微米或更大的颗粒总数。 一般城市空气中通常包含烟、雾