第5章电力晶体管GTR摘要.pptVIP

电力晶体管（GTR） 5.1 GTR的结构和工作原理 5.2 GTR的基本特性 5.3 GTR的主要参数 5.4 GTR的驱动 术语用法： 电力晶体管（Giant TransistRr——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的晶体管（BipRlar JunctiRn TransistRr——BJT），英文有时候也称为PRwer BJT。 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MRSFET取代。 在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为 ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 当考虑到集电极和发射极间的漏电流IceR时，ic和ib的关系为 ic=? ib +IceR 产品说明书中通常给直流电流增益hFE——在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比。一般可认为??hFE 。 单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。 (1)? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区 (2)? 动态特性 开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 增大ib的幅值并增大dib/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程 。 关断过程 储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff 。 ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。 减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度。 负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加，从而增大通态损耗。 GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多 。 前已述及：电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏电流IceR、集射极间饱和压降Uces、开通时间tRn和关断时间tRff (此外还有)： 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。 实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比UceR低得多。 2)?集电极最大允许电流IcM 通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic 实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。 3) 集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率 产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 。 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 理想的GTR基极驱动电流波形如图5.5所示。 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 GTR的驱动电路 本章小结 当前的格局: IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。仍在不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTR。 GTR：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA。 光控晶闸管：功率更大场合，8kV / 3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大。 电力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固。 * 第5章 GTR的结构和工作原理 5.1 图5.1 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 5.1 与普通的晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 GTR的结构和工作原理 5.1 GTR的结构和工作原理 图5.2 共发射极接法时GTR的输出特性 GTR的基本特性 5.2 图5.3 GTR的开通和关断过程电流波形 5.2 GTR的基本特性 5.2 GTR的基本特性 图5.3 GTR的开通和关断过程电流波形 GTR的主要参数 5.3 5.3 GTR的主要参数 5.4 1. GTR对基极驱动电路的基本要求 GTR的基极驱动电路可分为直接驱动和隔离驱动两