第六章铸造多晶硅摘要.pptVIP

一般而言，在铸造多晶硅中晶锭的周边区域存在一层低质量的区域，其少数载流子寿命较低，不能应用与太阳电池的制备。这层区域与多晶硅晶体生长后在高温保留时间有关。通常认为，晶体生长速率越快，这层区域越小，可利用的材料越多。 铸造多晶硅中的低质量的区域 6.3.4 晶体生长的影响因素 这部分材料虽然不能制备太阳电池，但是可以回收使用。 值得注意的是，在回收料中，显然有越来越多的碳化物和氮化物，这些杂质过多，会导致材料质量的下降。所以，在多晶硅晶体生长时，需要尽量减少低质量区域。 6.3.4 晶体生长的影响因素 铸造多晶硅中的低质量的区域 实际产业中主要制备p型铸造多晶硅，硼主要的掺杂剂。 由于硼氧复合体对高效硅太阳电池的效率有衰减作用，最近掺镓的p型和掺磷的n型铸造多晶硅也引起了人们的注意。 6.3.5 晶体掺杂 对于p型掺硼铸造多晶硅，电阻率在0.1-5Ω·cm范围内都可以用来制备太阳电池，但最优的电阻率在1Ω·cm左右，硼掺杂浓度约为2×1016cm-3。 在晶体生长时，适量的B2O3和硅原料一起被放入坩埚，熔化后B2O3分解，从而使硼溶入硅熔体，最终进入多晶硅体内，其反应方程式为： 2B2O3=4B+3O2 6.3.5 晶体掺杂 6.3.5 晶体掺杂 掺镓的p型铸造多晶硅虽然可以制备性能优良的太阳电池，但是镓在硅中的分凝系数太小，只有0.008。因此，晶体的底部和上部的电阻率相差很大，不利于规模生产。 掺硼p型硅和掺镓p型硅的比较 6.3.5 晶体掺杂 掺磷的n型多晶硅也是一样，磷在硅中的分凝系数仅为0.35；而且，掺磷的n型多晶硅中少数载流子（空穴）的迁移率较低，进一步，如果利用n型多晶硅太阳电池，现在常用的太阳电池工艺和设备都要进行改造；对于掺磷的n型晶体硅而言，要通过硼扩散制备p-n结，但是硼的扩散温度要高于磷扩散的温度。 掺硼p型硅和掺磷n型硅的比较 无论是掺镓p型还是掺磷n型多晶硅，与相应的直拉单晶硅一样目前仅处于研究阶段。 6.3.5 晶体掺杂 目前，利用该技术制备的铸造多晶硅硅锭可达35mm×35mm×300mm，电池转换效率可达15-17%。 该技术需要进一步改善晶体制备技术和材料质量，才能使得这种技术在工业界得到广泛应用。 电磁感应冷坩埚连续拉晶法的缺点 制备出的铸造多晶硅的晶粒比较细小，约为3-5mm，而且晶粒大小不均匀。 该技术的固液界面是严重的凹形，会引入较多的晶体缺陷。因此，这种技术制备的铸造多晶硅的少数载流子寿命较低，所制备的太阳电池的效率也较低。 6.3.1 铸造多晶硅的原材料 铸造多晶硅的原材料 微电子工业应单晶硅生产的剩余料 半导体级的高纯多晶硅 微电子工业应单晶硅生产的剩余料 质量相对较差的高纯多晶硅 单晶硅棒的头尾料 单晶硅生长完成后剩余在石英坩埚中的硅底料 与直拉、区熔晶体硅生长方法相比，铸造方法对硅原料的不纯具有更大的容忍度，所以铸造多晶硅的原料更多地使用电子工业的剩余料，从而使得原料的来源可以更广，价格可以更便宜； 在多晶硅片制备过程中剩余的硅材料还可以重复利用。有研究表明，只要原料中剩余料的比例不超过40%，就可以生长出合格的铸造多晶硅。 6.3.1 铸造多晶硅的原材料 在铸造多晶硅制备过程中，可以利用方形的高纯石墨作为坩埚，也可以利用高纯石英作为坩埚。 高纯石墨的成本比较便宜，但是有较多可能的碳污染和金属污染；高纯石英的成本较高，但污染少，要制备优质的铸造多晶硅就必须利用石英坩埚。 6.3.2 坩埚 ① 在制备铸造多晶硅时，原材料熔化、晶体硅结晶过程中，硅熔体和石英坩埚长时间接触，会产生黏滞作用。由于两者的热膨胀系数不同，在晶体冷却时很可能造成晶体硅或石英坩埚破裂。 ② 由于硅熔体和石英坩埚长时间接触，与制备直拉单晶硅时一样，会造成石英坩埚的腐蚀，使得多晶硅中的氧浓度升高。 石英坩埚的存在的问题 6.3.2 坩埚 工艺上一般利用Si3N4或SiO/SiN等材料作为涂层，附加在石英坩埚的内壁。 解决石英坩埚问题的方法 6.3.2 坩埚 涂层的作用 ① 隔离了硅熔体和石英坩埚的直接接触，不仅能解决黏滞问题，而且可以降低多晶硅中的氧、碳杂质浓度。 ② 利用Si3N4涂层，还使得石英坩埚可能得到重复使用，达到降低生产成本的目的。 6.3.2 坩埚 直熔法制备铸造多晶硅的具体工艺如下： 装料 加热 化料 晶体生长 退火 冷却 6.3.3 晶