第3章电抗式和霍尔传感器-2014摘要.ppt

开关式全波相敏检波电路 实验用相敏检波电路： （3）最大磁感应强度BM （4）最大激励电流IM 本章作业 * 1 元件材料 3.2.2 霍尔元件 霍尔元件的材料 1.金属材料不能用来制作霍尔元件。 2.霍尔元件宜用N型半导体（载流子浓度小、且迁移率大），如：锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料。不宜用P型半导体。具体使用根据具体应用场合和要求来选用。例如：一般测量指示仪表中，大多采用锗和砷化铟元件；作为敏感元件时，则采用锑化铟元件。 3.霍尔元件越薄（即d越小），KH也越大，所以一般霍尔元件的厚度d=0.1～0.2mm，薄膜型霍尔元件只有1微米左右。 2 霍尔元件的结构及基本电路 1.霍尔元件由霍尔片、引线和壳体组成。 2.霍尔元件几何形状为长方形，在薄片相对两侧上有两对电极引出线。一对为控制电流端，另一对为霍尔电势输出端。 3.霍尔片一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装。 电路中用H代表，后面字母代表元件材料，数字代表产品序号。 HZ-1元件：锗材料制成的霍尔元件。 HT-1元件，说明是用锑化铟材料制成的元件。 * 3 霍尔元件特性参数 (1) 输入阻抗和输出阻抗 输入阻抗Ri：控制电流进出端之间的阻抗 输出阻抗Ro：霍尔电极输出的正负端子间的内阻 (2) 温度系数 在一定磁场强度和控制电流作用下，温度每变化1 ℃时霍尔电势变化的百分数称为霍尔电势温度系数 上图所示霍尔元件线性范围是负的多少高斯至正的多少高斯？ 线性区 霍尔电势随激励电流增大而增大，在应用中希望选用较大激励电流。 激励电流增大，霍尔元件功耗增大，元件温度升高，从而引起霍尔电势温漂增大， 每种型号元件均规定相应的最大激励电流，数值从几毫安至十几毫安。 以下哪一个激励电流的数值较为妥当？ 5μA 0.1mA 2mA 80mA 恒压 用稳压二极管VDZ获得基准电压，经电压跟随器A1加到三极管VT1上，使霍尔元件两端加上恒定2V电压。 特点：施加电压恒定不变，不平衡电压的温度变化小，但霍尔电流发生变化，输出电压 的温度变化大。 * 4 霍尔元件驱动和放大电路 （1） 驱动电路 恒流 用稳压二极管VDZ获得基准电压，通过霍尔元件的电流 由VDZ的电压和电阻 决定： 电路中，三极管VT1接在运算放大器A1反馈环内，可以吸收三极管 的变化，抑制特性随温度变化。 特点：即使霍尔元件的内阻随外部各种条件变化，但霍尔电流保持恒定，因此输出电压的温度系数变小。 * 霍尔元件输出端接NPN型三极管VT1和VT2上，VT1和VT2接成射极跟随器方式，对霍尔元件的阻抗进行变换，以便与后级信号处理。 特点：霍尔元件的输出端几乎不流经电流，可获得较大的霍尔输出电压，减小波形失真，有利于后级电路设计。 * （2） 放大电路 * 5 .霍尔元件电磁特性 当磁场和环境温度一定时: 霍尔电势与控制电流I成正比 当控制电流和环境温度一定时: 霍尔电势与磁场的磁感应强度B成正比 当环境温度一定时: 输出的霍尔电势与I和B的乘积成正比 * a) 幅度调制(AM) b) 频率调制(FM) c) 相位调制(PM) * 载波信号：由一列占空比不同的矩形脉冲构成。 脉冲宽度调制电路： d)脉冲宽度调制 理想的脉冲周期序列中（如方波），正脉冲的持续时间与脉冲总周期的比值 * 缓变信号 调制 高频信号 放大 放大高 频信号 解调 放大缓变信号 调幅是将一个高频正弦信号（或称载波）与测试信号相乘，使载波信号幅值随测试信号的变化而变化． ①调制原理 (3)调制与解调电路 * * 幅度调制与解调过程（波形分析） 乘法器 放大器 X(t) Y(t) X m(t) 乘法器 滤波器 Y(t) x(t) 调制 解调 * * 幅度调制与解调过程（数学分析） 乘法器 放大器 X(t) Y(t) X m(t) 乘法器 滤波器 Y(t) x(t) 结论：调幅过程在时域是调制波与载波相乘的运算。 调制 解调 * 先将微弱的缓变信号加载到高频交流信号中去，然后利用交流放大器进行放大，最后再从放大器的输出信号中取出放大了的缓变信号。 例：交流电桥 Vin Vo R1 R3 R2 R4 调幅电路 从已调信号中检出调制信号的过程称为解调或检波。 幅值调制就是让已调信号的幅值随调制信号的值变化，因此调幅信号的包络线形状与调制信号一致。只要能检出调幅信号的包络线即能实现解调。这种方法称为包络检波。 * * a). 包络检波 ②解调原理 包络检波原理图： 原理：叠加一直流分量 被测量信号 直流分量 极性全为正 高频载波信号 调幅波 包络检波 叠加极性相反的直流分量 被还原的信号 a) 包络检波解调原理图及实际