半导体晶圆划片工艺简述聂仁勇.docVIP

半导体晶圆划片工艺简述 作者：聂仁勇，无锡开益禧半导体有限公司 引言： 半导体器件的生产全过程通常分为圆片制造工艺和封测工艺两部分。一般封测工艺包括圆片减薄、背面蒸发、晶圆划片、装片、键合、封装、后固化、高温贮存、去飞边、浸锡（电镀）、切筋（打弯）、测试分类、打印、包装等工序。 首先芯片的封测工艺始于将晶片分离成单个的芯片。本文在此将着重介绍晶圆划片工序的作用、重要性等主要因素。 晶圆切割介绍： 晶圆划片通常有两种方法：划片分离或锯片分离。 在一个晶圆上，通常有几百个至数千个芯片连在一起。它们之间留有80um至150um的间隙，此间隙被称之为切割街区（Saw Street）。将每一个具有独立电气性能的芯片分离出来的过程叫做划片或切割（Dicing Saw）。划片法或钻石划法是工业界开发的第一种划片技术。目前，机械式金刚石切割(图1)是划片工艺的主流技术。在这种切割方式下，金刚石刀片（Diamond Blade）以每分钟3万转到4万转的高转速切割晶圆的街区部分，同时，承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动，切割晶圆产生的硅屑被去离子水（DI water）冲走。依能够切割晶圆的尺寸 ，目前半导体界主流的划片机分８英寸和12英寸划片机两种。但我公司由于生产TO-92等低端DIODE,TRANSISTER以及简单稳压管，沿用的仍旧是6英寸划片机。 【图1：机械