半导体存储器资料讲解.ppt

* * DRAM 4116的写周期 TWCS TDS 列地址 行地址 地址 - TDH TWR TCAH TASC TASR TRAH TCAS TRCD TRC TRAS DIN WE -CAS -RAS 存储地址需要分两批传送 行地址选通信号RAS*有效，开始传送行地址 随后，列地址选通信号CAS*有效，传送列地址 读写信号WE*写有效 数据从DIN引脚进入存储单元 * * DRAM 4116的刷新 TRC TCRP TRAS 高阻 TASR TRAH 行地址 地址 DIN CAS RAS 采用“仅行地址有效”方法刷新 行地址选通RAS*有效，传送行地址 列地址选通CAS*无效，没有列地址 芯片内部实现一行存储单元的刷新 没有数据从输入输出 存储系统中所有芯片同时进行刷新 DRAM必须每隔固定时间就刷新 * * DRAM芯片2164 存储容量为 64K×1 16个引脚： 8 根地址线A7～A0 1 根数据输入线DIN 1 根数据输出线DOUT 行地址选通 -RAS 列地址选通 -CAS 读写控制 -WE NC DIN -WE -RAS A0 A2 A1 GND VSS -CAS DOUT A6 A3 A4 A5 A7 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 * * 5.3 只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）进行擦除 * * EPROM EPROM 2716 EPROM 2764 EEPROM EEPROM 2717A EEPROM 2864A 典型EPROM、EEPROM 芯片介绍 * * 5.3.2 可擦可编程只读存储器 EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程 编程后，应该贴上不透光封条 出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息1 编程就是将某些单元写入信息0 * * 2. 典型EPROM芯片介绍2716 存储容量为2K×8 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线DO7～DO0 片选/编程CE*/PGM 读写OE* 编程电压VPP 功能 VDD A8 A9 VPP OE* A10 CE*/PGM DO7 DO6 DO5 DO4 DO3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DO0 DO1 DO2 Vss * * 3. 高集成度EPROM 除了常使用的EPROM 2764外，还常使用27128，27256，27512等。由于工业控制算机的发展，迫切需用电子盘取代硬盘，常把用户程序、操作系统固化在电子盘上，（ROMDISK），这时要用27C010（128K×8），27C020（256K×8），27C040（512K×8）大容量芯片。 * * 5.3.3电可擦可编程存储器 2816是容量为2K×8的电擦除PROM。 芯片的管脚排列与2716一致，只是在管脚定义上，数据线管脚对2816来说是双向的，以适应读写工作模式。 图5.23 2816的逻辑符号 1. 2816的基本特点 * * 3. 2817A EEPROM 存储容量为2K×8 28个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线I/O7～I/O0 片选CE* 读写OE*、WE* 状态输出RDY/BUSY* * * EEPROM芯片2864A 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线I/O7～I/O0 片选CE* 读写OE*、WE* Vcc WE* NC A8 A9 A11 OE* A10 CE* I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 * * 5.3.4 快擦写存储器 1. 整体擦除快擦写存储器 2. 对称型块结构快擦写存储器 3. 带自举块快擦写存储器 * * 5.4 内存管理 5.4.1 80X86系列CPU的工作模式 CPU 数据总线 地址总线 寻址范围 支持操作系统 8086 8位