2、集成逻辑门.pptVIP

数字集成电路的规模划分 常用逻辑门电路的类型 双极型 DTL、TTL、ECL、I2L等 单极型 NMOS、PMOS、CMOS等 第二章 集成逻辑门 二极管组成的与门 二极管从正向导通和反向截止转换 由三极管组成的非门 二极管～三级管（DTL)组成与非门 TTL与非门电路的工作原理 任一输入端为低电平时， T1的发射结正向偏置而导通，T2截止。输出为高电平。 浅饱和型TTL与非门电路 改动电路的作用分析 原TTL电路中只有一个泄放电阻Re2／1K，而R3-R6-T6构成有源泄放网络，在T5的两个转换过程中增加驱动电流和泄放电流，加快转换。 TTL与非门的性能指标参数 扇入与扇出系数 改进的二输入TTL与非门（74S00) TTL系列参数比较 集电极开路（OC)与非门74S09 射极耦合逻辑门（ECL） 输入电平 H：-0.8V L：-1.6V VR：基准电压-1.2V Vi为低时，T1导通， T2截止；VO2＝0V Vi为高时，T1截止， T2导通；VO2＝-0.8V 工作在非饱和态： 速度快 ECL主要参数 工作电压 －5V 逻辑电平 H -0.8v L -1.6V 功耗大 40mW/门 信号传输时间 0.5ns 开关频率 1GHz 应用：主要是军事领域 NMOS和PMOS NMOS管 增强型：加正电压形成N沟道 开启电压 耗尽型：加负电压耗尽N沟道 夹断电压 PMOS管 增强型： 加负电压形成P沟道 开启电压 耗尽型： 加正电压耗尽P沟道 夹断电压 NMOS反相器 构成NMOS门 的基本单元 负载管TL（电阻） 输入管TO a)增强型负载 b)耗尽型负载 NMOS与非门 T1、T2：串联输入管 TL、T1、T2：增强型NMOS NMOS或非门 T1、T2：并联输入管 NMOS门的典型数据 工作电压：＋5V 每个门的功耗：2mW （输出L） 0mW（输出H） 信号传输时间：5-10ns 最高开关频率：80MHz 逻辑电平（输出） H：3.5V（2.4V-5V） L：0.3V（0V-0.45V） NMOS门电路与TTL门电路兼容 几乎没有单独的NMOS门电路 PMOS门的典型数据 工作电压 －12V（－9V～－20V） 每个门的功耗 6mW （输出H） 0mW（输出L） 信号传输时间 40ns 最高开关频率 10MHz 逻辑电平（输出） H：-1V（-3V～0V） L：-11V（-9V～-12V） 抗干扰能力强、速度低 CMOS三态(TSL)门 CMOS三态门 附加一对控制电路 时，T’ON和T’LP均截止 CMOS门特点及参数 输入电压范围宽 逻辑电平随输入电压变化 功耗随输入电压和工作频率变化 输入电阻：兆欧级 扇出系数： 50 最高开关频率 50MHz 工艺改进?参数变化 具体参阅芯片资料 4000系列CMOS芯片 4000A 4000B 例如：CD4001B－ 或非门；CD4073B－与门； 1968 RCA公司 4000B参数 电源：3-18V 功耗：2.5mW/门 传输延迟：25-100ns /门 因速度低现在已很少使用 74C系列CMOS电路 普通CMOS：74Cxx 高速CMOS：74HCxx/74HCTxx 先进CMOS：74ACxx/74ACTxx 74ACxx/ACTxx典型参数 电源：2-6V 功耗：0.9mW/门 传输延迟：5ns/门 CMOS门的使用 输入阻抗很高，容易被静电击穿 调试、使用时，仪表、电路板良好接地； 接触前释放人体所带静电 最好断电焊接 采用防静电措施存储、运输 闲置端不要悬空 集成逻辑门使用中的几个问题 多于输入端的处理：并联 逻辑电平匹配 注意驱动能力 TTL可以驱动CMOS CMOS一般不能驱动TTL 小结 TTL电路 普通TTL电路；OC门；三态门； ECL电路 CMOS电路 门电路的性能参数 各类集成逻辑门的主要性能参数 作业 2.8 2.18 2.19（1）（2）（3） （2）漏极开路门的结构与逻辑符号 (c) 可以实现线与功能; (d) 可实现逻辑电平变换： (a)工作