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RC缓冲和散热总结 IGBT缓冲电路的分类和作用 缓冲电路又称吸收电路,在电力半导体器件的应用技术中起着重要的作用。因为电力半导体器件的可靠性与它在电路中承受的各种应力(电的、热的)有关,所承受的应力越低工作可靠性越高。电力半导体器件开通时流过很大的电流,阻断时承受很高的电压;尤其在开关转换瞬间,电路中各种储能元件的能量释放会导致器件经受很大的冲击,可能超过器件的安全工作区而导致损坏。缓冲电路的主要作用是用来控制IGBT等功率器件的关断浪涌电压和续流二极管恢复浪涌电压,减少器件的开关损耗,充分利用工IGBT的功率极限。缓冲电路将开关损耗从器件本身转移至缓冲器上,目的是使功率器件损耗减少,保证安全工作,但总的开关损耗并未减少。 缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。关断缓冲电路又称为抑制电路,用于吸收器件的关断过电压和换向过电压,抑制,减小器件关断损耗。开通缓冲电路又称为抑制电路,用于抑制器件开通时的电流过冲和,减小器件的开通损耗。可将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起,称为复合缓冲电路。在有缓冲电路的情况下，关断时将被抑制，减小关断电压并且在IGBT关断时,负载电流向分流,减轻了加在IGBT上的负担。 IGBT关断缓冲电路的常用拓扑结构 设计IGBT缓冲电路应考虑的主要因素有:功率电路的布局结构、功率等级、工作频率和成本。图2-1给出了目前应用较为广泛的四种关断缓冲电路拓扑。 图2-1：常用四种关断缓冲电路 缓冲电路A由一个无感电容并在IGBT模块的CE极之间,这种缓冲电路适用于小功率等级,对抑制瞬变电压非常有效且电路简单,成本低，缺点是随着功率级别的增大,A型缓冲电路可能会与直流母线寄生电感产生减幅振荡，安装时必须靠近IGBT。缓冲电路B使用快恢复二极管解决了A型缓冲电路可能会与直流母线寄生电感产生减幅振荡这个问题,该二极管可箝位瞬变电压,从而抑制振荡的发生。缓冲电路B和D的RC时间常数应设为该开关周期的1/3()左右。对于大功率级别的IGBT工作,缓冲电路B的回路寄生电感将变得很大,不能有效地控制瞬变电压。这种场合可采用C型缓冲电路,其功能与B型类似,而且它直接连接到每个IGBT的集电极和发射极,具有寄生电感较小的优点,可有效地抑制振荡和控制瞬变电压,但电路结构相对复杂,元件多,成本高。在极大功率的应用电路中,联合使用A型和C型,可以减小缓冲电路二极管的应力。D型吸收电路即RC关断缓冲电路,此电路的优点就是结构简单,它是现在工程实践中用的最多的吸收电路的类型,但是它的缺点就是易造成过冲电压,并且在使用大容量IGBT时,会引起集电极电流升高,因此必须增大电阻R,这样会使IGBT功能受到一定限制。适用于斩波电路和小容量、低频率装置。 IGBT关断尖峰电压产生的原因 3.1关断尖峰电压 IGBT的关断尖峰电压是由于通过IGBT的电流在关断时产生的瞬态高电压。为了更好地解释这一现象,我们采用图3-1所示的感性负载半桥电路的关断过程来说明。 图3-1：具有感抗的半桥电路 假定上桥臂Q1截止,下桥臂Q2处于开通状态。若主回路为理想电路且不存在寄生电感,当下桥臂Q2由导通变为截止时,由于感性负载电流不能突变,将通过上桥续流二极管D1续流,以构成电流回路。此时下桥臂电压Vce2将上升,直到它的值达到比直流电压高出一个二极管的压降值,才能使上桥臂Q1的续流二极管D1导通以防止电压进一步增加。但在实际的功率电路中存在寄生电感,如图3-1中的等效寄生电感。 当下桥臂截止时,电感阻止负载电流向上桥臂IGBT的续流二极管切换。在该电感两端产生阻止母线电流增加的电压 (),它与电源电压相迭加并以尖峰电压的形式加在下桥臂IGBT的两端。在极端情况下,该尖峰电压会超过IGBT的耐压额定值,使IGBT损坏。在实际应用中,寄生电感分布于整个功率电路中,但其效果是等同的。 3.2续流二极管反向恢复时的尖峰电压 当续流二极管恢复时会产生与关断时相似的尖峰电压。在图3-1中,假定下桥臂Q2关断,并且负载电流通过上臂IGBT的续流二极管Dl构成环路。此时,若Q2导通,随着负载电流通过Q2,流过续流二极管D1中的电流将逐渐下降,并且在续流二极管反向恢复期间变为负的最大值。当续流二极管D1恢复阻断, 会迅速下降为零,这种情况类似于上面所描述的关断情况。主回路中的寄生电感产生了一个尖峰电压其值与和成正比,而与续流二极管D1的恢复特性有关。有些快恢复二极管在Q2快速开通时被“硬恢复”,可以产生特别高的反向恢复。这种情况通常被称为“折断式”恢复,可导致很高的瞬态电压。 RC关断缓冲电路的工作机理 图4-1：RC缓冲电路的基本结构图 当IGBT突然关断时,原来流过回路寄生电感的电流通过RC旁路,从而将寄生电感上的储能转移到了电容上,避免在器件突然关断时,由于电流突变在器