消除TrenchMOS表面静电光刻工艺改进.pdfVIP

A Dissertation Submitted to Shanghai Jiao Tong University for Master Degree of Engineering Lithography Process Optimization for Eliminating the Surface Static Electricity of Trench MOS Author：Zhongfei Shan Specialty: Integrated Circuit Engineering Advisor: Guoguang Rong Corporation Advisor: Qunqi Chen School of Microelectronics Shanghai Jiao Tong University Shanghai, P.R.China April 2010 I 消除 Trench MOS 表面静电的光刻工艺改进 摘 要 在多种多样的功率器件中，Trench MOSFET （一种新型垂直结构器 件）是一种拥有低导通电阻、低栅漏电荷密度、以及低开关损耗的高速 开关元器件。而拥有特殊工艺结构的某Trench MOS产品A通过增大gate 导线面积，进一步减小导通电阻、降低开关功耗并提高开关速度。 但常 规的半导体工艺不能满足该新型Trench MOS产品A 的目标良率，阻碍了 其广泛应用。本项目针对该产品的低良率（low yield ）问题进行光刻工艺 的改进来提高它的良率。通过一系列实验，对某Trench MOS产品A工艺 产生low yield 的机理进行分析，特别对影响光刻显影工艺的参数进行分 析。通过合理设计实验来验证减少显影工艺超纯水的喷吐时间可以提高 良率，并评估了其对显影工艺的影响，得出采用此工艺的可行性论证。 然后将显影工艺中减少超纯水喷吐时间的技术运用到实际生产当中，通 过大规模生产得出的生产结果数据来评估这一工艺改进的效果。研究结 果表明，这种方法可以消除P 阱光刻工艺中显影后积累在晶圆表面的静电 电荷，减少其对P 阱离子注入均匀性的影响，消除阈值电压VTH漂移，提 高良率到目标值，此外这种方法还可以提高产品的通量（throughput ）。 IV 关键词：Trench MOSFET, 光刻工艺, 静电电荷, 良率, 显影工艺, 超 纯水, 阈值电压漂移. V Lithography Process Optimization for Eliminating the Surface Static Electricity of Trench MOS