CXT选型分析报告.pdf

目录 目录 概述 1 特点 1 工作原理 1 CXT 型差压（流量）变送器2 CXT 型差压（流量）变送器（氢密封隔离膜片型）12 CXT 型压力变送器 20 CXT 型压力变送器（氢密封隔离膜片型）29 CXT 型绝对压力变送器 36 CXT 型双法兰远传差压变送器44 CXT 型单法兰远传压力变送器53 CXT 型液位变送器 62 手持通讯器 72 概述 CXT 型智能压力变送器采用了独特的硅微电容传感器、先进的浮动膜盒结构和最新的微处理器技术，具有变送准确度 高、稳定性好、使用寿命长、安全可靠和使用方便等特点。 CXT 型智能压力变送器适用于石油、电力、化工、冶金、制药、轻工等行业中的压力、流量和液位测量等众多场合。 特点 准确度达到 0.07%，量程比40 ：1 受温度和过压影响极小 兼容 HART/FF/Profibus™协议 通过调整旋钮即可调整零点 不用标准压力的干校验 具有自诊断和远程维护功能 高稳定性，三年≤±0.1% NEPSI 认证， 隔爆型：Exd ⅡCT5 本安型：Exia ⅡCT4 工作原理 与传统微位移电容式变送器相比，CXT 型智能压力变送器的电容传感元件采用硅材料制成，体积特别小，仅 9mm ×9mm ×7mm，故称硅微电容传感器。 如图 1 所示，传感器是在单晶体硅薄片上刻蚀出来，具 有体积小、响应快的特性；硅材料的热膨胀系数只有不锈钢 的 1/4，受环境温度变化的影响小；硅的弹性迟滞小，没有 疲劳；硅微电容传感器的工作位移比传统微位移变送器工作 位移小几十倍，仅 4µm ，这样小的位移下，压力与位移呈精 确比例关系，因而变送器的线性好，精度高。 硅微电容传感器采用整体封装，周围被封液包围，故称 浮动膜盒结构，如图 2 所示。CXT 型智能压力变送器的膜 图 1 硅微电容传感器结构 盒结构与传统膜盒结构有很大不同，硅电容传感器不在膜盒 1-测量膜片（单结晶体硅）； 的下部，而是在上部。传感器移到膜盒上部，远离测量介质， 2- 固定电极；3-金属化通孔； 受介质温度变化的影响减小；同时检测器内部装有温度敏感 4-陶瓷；5-引线；6- 电极 元件来，根据敏感元件测量的温度，变送器微处理器随时修 正变化带来的影响，所以仪表具有优异的温度特性；膜盒基 座四周均受压力作用，所以受静压影响极小；图 2 中的保护 膜片不再是测量膜片，当输入压力超过量程范围时，保护膜 片产生变形，吸收部分封液压力，从而保护硅微电容传感器， 变送器抗过压能力大大增强。 CXT 型智能压力变送器采用先进的双存储单元电路技 术，传感器的特性参数及温度补偿等数据都已记录在传感单 图2 浮动膜盒结构 元的 EEPROM 中，因此不同变送器的检测部件可以互换而 1-波纹座；2-隔离膜片； 不必作静压和温度特性测试和参数调整。 3-封液；4-传感器；5-保护膜片 1 产品选型手册 CXT 型差压（流量）变送器 特点 准确度高