IGBT原理介绍分析报告.pdf

摘 要 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), 也称为绝缘栅双极晶体管 , 是一 种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件 , 它 同时具有 MOSFET 的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压 特性及易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性 好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点， 这使得 IGBT 成为近年来电力电子领域中尤为瞩目的电力电子驱动器件，并 且得到越来越广泛的应用。 本文主要介绍了 IGBT 的结构特性、工作原理和驱动电路，同 时简要概括了 IGBT 模块的选择方法和保护措施等，最后对 IGBT 的 实际典型应用进行了分析介绍，通过对 IGBT 的学习，来探讨 IGBT 在当代电力电子领域的广泛应用和发展前景。 关键词：IGBT ；绝缘栅双极晶体管；MOSFET ；驱动电路；电力电 子驱动器件 目 录 摘 要 I 1 前言 1 2 IGBT 的发展历程 1 3 IGBT 的结构特点和工作原理 2 4 IGBT 的驱动电路和保护 4 4.1 IGBT 对驱动电路的要求 4 4.2 IGBT 实用的驱动电路 5 4.3 IGBT 的保护措施 8 5 IGBT 的工作特性 11 6 IGBT模块的选择和测试 12 7 IGBT 的应用实例 15 7.1 断路器永磁机构控制器的驱动电路 15 7.2 变频调速系统 16 7.3 大功率商用电磁炉 17 8 结论 17 参 考 文 献 18 1 前言 近年来，新型功率开关器件 IGBT 已逐渐被人们所认识，IGBT 是由 BJT( 双极型三极管 ) 和 MOS( 绝缘栅型场效应管 ) 组成的复合全控型电压驱动 式功率半导体器件 , 与以前的各种电力电子器件相比， IGBI 、具有以下特 点：高输入阻抗，可采用通用低成本的驱动线路；高速开关特性；导通状态 低损耗。 IGBT 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的 优点。 GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大 ;MOSFET 驱动功率 很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。 IGBT 综合了以上两种器 件的优点，驱动功率小而饱和压降低 , 是一种适合于中、大功率应用的电力 电子器件，IGBT 在综合性能方面占有明显优势，非常适合应用于直流电压 为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵 引传动等领域。 本文主要通过对 IGBT 的结构特性和工作原理的学习，来探讨 IGBT 在 当代电力电子领域的典型实际应用和发展前景。 2 IGBT 的发展历程 1979 年， MOS 栅功率开关器件作为 IGBT 概念的先驱即已被介绍到世 间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N 四层组成），其特点是 通过强碱湿法刻蚀工艺形成了 V 形槽栅。 80 年代初期，用于功率 MOSFET 制造技术的 DMOS （双扩散形成的金 属 - 氧化物 - 半导体）工艺被采用到 IGBT 中来。在那个时候，硅芯片的结构 是一种较厚的 NPT （非穿通）型设计。后来，通过采用