氯离子对铜在玻碳电极上电结晶的影响.pdfVIP

2002 年第 60 卷 化 学 学 报 Vol. 60 , 2002 第 11 期 , 1946～1950 ACTA CHIMICA SINICA No. 11 , 1946 ～1950 氯离子对铜在玻碳电极上电结晶的影响 a , b b b b , b 辜 　敏 　　杨防祖 　　黄　令 　　姚士冰 　　周绍民 ( a 汕头大学化学系 　汕头 515063) ( b 厦门大学化学系 　固体表面物理化学国家重点实验室 厦门 361005) 摘要 　采用线性扫描伏安法和计时安培法研究了硫酸铜溶液中铜在玻碳电极上电结晶的初期行为. 在含与不含氯 离子的 005 mol ·L - 1 CuSO 05 mol ·L - 1 H SO 电解液中,循环伏安实验结果表明铜在玻碳基体上的沉积没有经过 4 2 4 UPD 过程 ;氯离子明显使 Cu 的沉积和氧化峰变得尖锐 ,促进 Cu 的沉积速度. 计时安培实验结果表明 ,Cu 的电结晶 ( ) 按瞬时成核和三维生长方式进行. 氯离子不改变 Cu 的电结晶机理 ,但在 I ～t 曲线中,导致电流达最大 Im 所需的 时间 tm 减小、晶核数密度和生长速度增大 ,从而明显改变 Cu 沉积层的质量. 当Cl - 浓度在 10～20 mg ·L - 1 范围内 ,成 核的晶核数密度达较大 ,即氯离子的最适宜添加量. 关键词 　铜 ,氯离子 ,玻碳 , 电结晶 Effect of Chloride Ion on Electrocrystallization of Copper on Glass Carbon Electrode GU , Min a , b 　　YANG, FangZu b 　　HUANG, Lingb 　　YAO , ShiBingb 　　ZHOU , ShaoMin , b ( a Department of Chemistry , Shantou University , Shantou 515063) ( b Department of Chemistry , State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surfaces , Institute of Physical Chemistry , Xiamen University , Xiamen 361005) Abstract 　The initial stage of cop