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第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 , 27 6 Vol.27 No.6 年 月 , 2015 6 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Jun. 2015 CMOS阵列响应过程中的电串扰特性研究* 1 2 1 赖莉萍 , 罗 福 , 张蓉竹 ( , ; , ) 1.四川大学 电子信息学院 成都 610064 2.中国工程物理研究院 流体物理研究所 四川 绵阳 621900 : , 。 摘 要 在利用 阵列探测器成像时 探测阵列单元间的串扰将直接影响器件成像质量 为了更 CMOS , , 好地了解串扰对器件响应过程的影响 针对 CMOS图像传感器的电串扰特性进行了分析 建立了电串扰数学 , 。 、 、 、 分析模型 对电串扰的大小进行了定量计算 具体分析了不同扩散长度 感光面积 耗尽层宽度 像素尺寸和温 。 , 、 , 度对电串扰的影响 分析结果表明 感光面积 耗尽层宽度与像素尺寸对电串扰的影响最大 扩散长度和温度 2 2 。 , ; 对电串扰的影响相对较小 感光面积由3.8 m 增加到 12.8 m 后 归一化的电串扰减小了约 13% 像素尺 μ μ , ; , 寸由7 m×7 m增加为15 m×15 m时 电串扰增加了约95.4% 温度由100K增加到180K后 电串扰下 μ μ μ μ 降了约 0.6%。 : ; ; ; 关键词 阵列探测器 图像传感器 电串扰 感光面积 CMOS 中图分类号: 文献标志码: : / TN211 A doi10.11884HPLPB201527.061019 , 、 、 , 作为典型的光电探测器件 CMOS探测阵列具有集成度高 随机读取 低功耗和低成本等优势 在图像处 , 。 , 理和光电对抗系统中 得到了广泛的应用 在具体应