光电探测器摘要.ppt

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
光电探测器摘要.ppt

光探测器(Photodetector)是光纤通信系统的重要组成部分,它的作用是把光源发送并经光纤传输的携带有信息的光信号转化成相应的电信号(与光源相反),然后放大并恢复为原始电信号,即将电信号“解调”出来。 光探测器是一种光电信息转换器件。在光纤系统中,光探测器的作用是将光纤传来的光信号功率变换为电信号电流。 数字光接收机 光电探测器的种类 光电探测器能检测出入射在其上面的光功率,并完成光/电信号的转换。对光检测器的基本要求是: ① 在系统的工作波长上具有足够高的响应度,即对一定的入射光功率,能够输出尽可能大的光电流; ② 具有足够快的响应速度,能够适用于高速或宽带系统; ③ 具有尽可能低的噪声,以降低器件本身对信号的影响; ④ 具有良好的线性关系,以保证信号转换过程中的不失真; ⑤ 具有较小的体积、较长的工作寿命等。 目前常用的半导体光电探测器有两种: PIN光电二极管 APD雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode)。 光电探测器的主要工作特性 1.响应特性 (1)响应度R(或称灵敏度)描述的是光电探测器 的光电转换效率。 定义:光电探测器输出信号与输入光功率之比。 描述的是光电探测器件的光电转换效率。 响应度是随入射光波长变化而变化的 响应度分电压响应度和电流响应度 响应度分为电压响应度和电流响应度 电压响应度Rv 光电探测器件输出电压与入射光功率之比 电流响应度RI 光电探测器件输出电流与入射光功率之比 (2)光谱响应度 光谱响应度R(λ)是响应度随波长变化的性能参数。大多数光电探测器具有光谱选择性。 定义:探测器在波长为λ的单色光照射下,输出电 压或电流与入射光功率之比。 (3)频率响应度 频率响应度R(f): 响应度随入射光频率而变化的 性能参数。其表达式为: 式中R(f)为频率为f 时的响应度;R0为频率为零时的响应度;?为探测器的响应时间或称时间常数,由材料和外电路决定。 响应时间:响应时间τ=RC是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数。决定了光电探测器频率响应的带宽。 上升时间:入射光照射到光电探测器后,光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。 下降时间:入射光遮断后,光电探测器输 出下降到稳定值所需要的时间。 2.量子效率 量子效率:是指每入射一个光子光电探测器所释放的平均电子数。它与入射光能量有关。其表达式为: 式中,I是入射光产生的平均光电流大小,e是电子电荷,P是入射到探测器上的光功率。I/e为单位时间产生的电子数,P/hυ为单位时间入射的光子数。 3.噪声等效功率 噪声等效功率(NEP)是描述光电探测器探测能力的参数。 定义:单位信噪比时的入射光功率。 噪声等效功率是一个可测量的量。设入射辐射的功率为P,测得的输出电压为U0,然后除去辐射源测得探测器的噪声电压为UN,则按比例计算,要使U0=UN的辐射功率为 4.探测度D与归一化探测度D* 探测度D 为噪声等效功率的倒数,即 归一化探测度D* 由于D与探测器的面积Ad 和放大器带宽 Δf乘积的平方根成正比,为消除这一影 响,定义: D*越大的探测器其探测能力越强。 PIN 光电二极管 (1)结构与工作原理: 为改善PN结耗尽层只有几微米,长波长的穿透深度比耗尽层宽度还大,大部分入射光被中性区吸收,使光电转换效率低,响应时间长,响应速度慢的特性,在PN结中设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为I),这种结构便是 PIN光电二极管。 了光电转换效率,两侧P+层和N+层很薄,吸收入射光的比例很小,I层几乎占据整个耗尽层,因而光生电流中漂移分量占支配地位,从而大大提高了响应速度。还可以通过控制耗尽层的厚度,来改变器件的响应速度。 P0为入射光功率; α (λ)材料的吸收系数,其大小与材料性质有关,且是波长的函数。通常使用的PIN光电二级管半导体材料。不同材料适用于不同的波长范围。当工作波长比材料的带隙波长 λC=1.24/Eg(μm)长时,吸收系数急剧减小。 为获得最佳的转换效率——量子效率及低的暗电流(它随带隙能量的增加按指数减小),理想光电二极管材料的带隙能量Eg应略

文档评论(0)

三哥 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档