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《半导体材料》小论文 SiC半导体材料和工艺的发展状况 学 院： 大数据与信息工程学院 专 业： 物理电子学 姓 名： 王凯 学 号： 2014021522 教 师： 肖清泉 2014年12月25日 SiC半导体材料和工艺的发展状况 王凯 贵州大学 大数据信息工程学院 摘要: 碳化硅( SiC) 是一种宽禁带半导体材料, 适用于制作高压、高功率和高温器件, 并可以工作在直流到微波频率范围。阐述了SiC 材料的性质, 详细介绍了SiC 器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触) 的最新进展, 并指出了存在的问题及发展趋势。 关键词: 碳化硅器件; 器件工艺; 半导体材料 Abstract: SiC is a kind of wide- band semiconductor material that is suitable for producing high voltage, high power and high temperature devics. SiC devices could overate with in the range from dc to microwave. In this paper, the property of SiC is presented and the resent evolution of the SiC device process is introduced in detail, including doping, etching, oxidation and metal semiconductor contact. The problems that still exist by now are pointed out and the developmenttendency is discussed. Key words: SiC device; process; semiconductor material 使用硅器件的传统集成电路大都只能工作在250 ℃以下, 不能满足高温、高功率及高频等要求。目前, 人们已将注意力转移到 SiC材料———最成熟的宽禁带半导体材料( 210 eV≤E g≤710eV) 。SiC 具有独特的物理性质和电学性质, 是实现高温与高功率、高频、抗辐射相结合器件的理想材料。随着6H、4H- SiC 体材料的相继商品化, SiC 器件工艺, 如氧化、掺杂、刻蚀及金属- 半导体接触, 都日渐成熟, 这些为SiC 器件的研制及应用奠定了基础。 1 SiC 材料的结构与特性 SiC 的基本结构单元是Si- C 四面体, 属于密堆积结构。由单向堆积方式的不同产生各种不同的晶型, 业已发现约200 种。密堆积有3 种不同的位置, 记为A, B, C。依赖于堆积顺序, SiC 键表现出立方闪锌矿或六方纤锌矿结构。如堆积顺序为ABC′ABC?, 则得到立方闪锌矿结构, 记作3c-SiC 或β- SiC (c=cubic)。若堆积顺序为AB′AB?,则得到纯六方结构, 记为2H- SiC (H=hexagonal)。其它多型体为以上两种堆积方式的混合。两种最常见的六方晶型是4H 和6H。其堆积方式分别为ABCB′ABCB? 和ABCA CB′ABCA CB? , 如图1所示。 不同的SiC 多型体在半导体特性方面表现出各自的特性。利用SiC 的这一特点可以制作SiC 不同多型体间晶格完全匹配的异质复合结构和超晶格, 从而获得性能极佳的器件。 SiC 具有非常高的热稳定性和化学稳定性。在任何合理的温度下, 其体内的杂质扩散都几乎不存在[1]。室温下, 它能抵抗任何已知的酸性蚀刻剂,这些性质使SiC 器件可以在高温下保持可靠性, 并且能在苛刻的或腐蚀性的环境中正常工作。SiC 其它的优良特性如表1 所示。 2 SiC 材料生长技术 SiC 是最早被发现的半导体材料之一, 但在很长的时间内, SiC 仅作为研磨和切割材料应用于工业中。SiC 具有高的化学和物理稳定性, 使其高温单晶生长和化学及机械处理都非常困难。因此, 目前应用于制造器件的SiC 材料都是由薄膜制备技术生长的外延薄膜材料, 最早使用的Lely 法采用的是升华再结晶工艺: 将一个内装多晶SiC 粉末的多孔石墨管, 用感应加热法加热到2 500 ℃, 升华出SiC, 并在石墨腔体内部稍冷的位置凝聚, 生成六角形状的、大小和结晶类型不