半导体物理试卷04(最终)东南大学.docVIP

半导体物理考试试卷（2004-11） 姓名 学号 填空（每空1分，共34分） 1．纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放 。这种杂质称 杂质；相应的半导体称 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 运动。 3．nopo=ni2标志着半导体处于 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？ ；当温度变化时，nopo改变否？ 。 4．非平衡载流子通过 而消失， 叫做寿命τ，寿命τ与 在 中的位置密切相关，对于强p型和 强n型材料，小注入时寿命τn为 ，寿命τp为 。 5． 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 ，称为 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是 和 。前者在 下起主要作用，后者在 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 ；深能级杂质所起的主要作用 。 8．对n型半导体，如果以EF和EC的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末， 为非简并条件； 为弱简并条件； 为简并条件。 12．当P-N结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 ，其种类为： 、和 。 13．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 将下列英文名词翻译成中文，并解释之（每题6分，共24分） （1）indiect recombination （2）diffusion length （3）hot carriers （4）space charge region 简要回答（共26分） 1．（7分）平衡p-n结的空间电荷区示意图如下，画出空间电荷区中载流子漂移运动和扩散运动的方向（在下图右侧直线上添加尖头即可）。并说明扩散电流和漂移电流之间的关系。 2．（10分）n型半导体的电阻率随温度的变化曲线如图所示，试解释为什么会出现这样的变化规律。 3. （9分）光照一块n型硅样品，t=0时光照开始，非平衡载流子的产生率为G，空穴的寿命为τ，则光照条件下少数载流子所遵守的运动方程为 ， 写出样品在掺杂均匀条件下的方程表达式 （2）写出样品掺杂均匀、光照恒定且被样品均匀吸收条件下的方程表达式 计算（16分） 单晶硅中均匀地掺入两种杂质掺硼1.5(1016cm-3, 掺磷5.0(1015cm-3。试计算： （1）室温下载流子浓度（4分）； （2）室温下费米能级位置（4分）； （3）室温下电导率（4分）；： （4）600K下载流子浓度（4分）。 已知：室温下ni=1.5(1010cm-3, NC=2.8(1019cm-3, NV=1.0(1019cm-3, k0T=0.026eV； 600K时ni=6(1015cm-3。 试题编号： 试题名称：半导体物理 第 1 页 共 4 页