第三章 门电路讲义.pptVIP

第三章 门电路 3.1 概述 门电路：实现基本逻辑运算、复合逻辑运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 获得高、低电平的基本原理 1、数字集成电路（IC）：1961年美国德克萨斯公司率先将 数字电路元器件制作在同一硅片上。2、IC的优点：体积小，重量轻，可靠性好，功耗小。 3、分类（1）分为双极型（TTL）、单级型（CMOS）、混合型。（2）SSI：1~10门，TTL为主 MSI：10~100门，TTL为主 LSI：1000~10000门，CMOS为主 VLSI：10000门以上，CMOS为主4、CMOS集成电路与TTL集成电路相比：功耗小，集成度高，工作速度及驱动能力不相上下。 3.2半导体二极管门电路半导体二极管的结构和外特性（Diode） 3.2.1二极管的开关特性： 二极管的开关等效电路： 二极管的动态电流波形： 3.2.2 二极管与门 3.2.3 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路 3.3 CMOS门电路3.3.1MOS管的开关特性 一、MOS管的结构 以N沟道增强型为例： 二、输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个