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? 1.1.1 电阻元件 1.1.1 电阻元件 1.2.4 晶闸管 1．晶闸管的种类 螺旋式 平板式 塑封式 ? 1.1.1 电阻元件 1.1.1 电阻元件 1.2.4 晶闸管 2．晶闸管的结构和符号 a) 结构示意图 b) 符号 它有三个引出极：阳极（Ａ）、阴极（Ｋ）、和门极（Ｇ）。 谢谢 THANKS! 注意： 半导体与导体不同，内部有两种载流子参与导电——自由电子与空穴。在外加电场的作用下，有： I=In（电子电流）+Ip（空穴电流） 空穴导电的实质是价电子的定向移动！ （2） P型半导体 ? 1.2.1 半导体及PN结 2．杂质半导体 （1）Ｎ型半导体 在本征半导体中有目的、有选择的掺入微量某种杂质 元素构成杂质半导体。 ——杂质为少量5价元素，如磷（P） 自由电子——多数载流子 空穴——少数载流子 载流子数 ? 电子数 磷原子 自由电子 正离子 多数载流子 少数载流子 N 型半导体的简化图示 （1）Ｎ型半导体 ——杂质为少量3价元素，如硼（B）。 空穴 —— 多子 自由电子 ——少子 硼原子 空穴 载流子数 ? 空穴数 P型半导体的简化图示 多数载流子 少数载流子 负离子 （2）P型半导体 注意： 无论是N型还是P型半导体都是电中性，对外不显电性！！！ ? 1.2.1 半导体及PN结 3．PN结的形成与特性 什么是PN结？ PN结是P型与N型半导体区域交界处的特殊带电薄 层，具有特殊的单向导电性，是半导体元器件制造的基础单元。 载流子浓度差 复 合 (耗尽层) 内电场 阻碍多子扩散帮助少子漂移 扩散漂移动态平衡 注意：动态平衡的PN结交界面上无电流流过，即 I = 0。 内电场 多 子 扩 散 空间 电荷 区 平衡PN结 P区 N区 （1）PN结的形成 3．PN结的形成与特性 所以，正偏时扩散运动增强，漂移运动几乎减小为0，宏观上形成很大的正向电流 IF 。 外电场越强，正向电流越大，PN结的正向电阻越小。 内电场 外电场 P区 N区 多子空穴 多子自由电子 正向电流IF + ? U R （2）PN结的单向导电性 1）PN结的正向导通特性——正偏导通（P区电位高于N区） 2）PN结的反向截止特性——反偏截止（P区电位低于N区） 所以，反偏时漂移运动增强，扩散运动几乎减小为0，由于少子数目较少，宏观上形成极小的反向电流IR （接近于0） 。 外电场增强，反向电流也几乎不增加，PN结的反向电阻很大。 ? + U R P区 N区 少子自由电子 少子空穴 反向电流IR 内电场 外电场 要记住： （1）外加正向电压时PN结的正向电阻很小， 电流较大，是多子扩散形成的； （2）外加反向电压时PN结的反向电阻很大， 电流极小，是少子漂移形成的。 要注意： PN结电路中要串联限流电阻。 ? 一个PN结加上相应的外引线，然后用外壳封装就成为最 简单的二极管。 1.2.2 二极管 1．二极管的结构和分类 从P区引出的引线叫做阳极或正极，从N区引出的引线叫 做阴极或负极。 常用 D（Diode）表示二极管。 图中的箭头表示正偏时的正向电流方向。 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 点接触型 金属触丝 N 型锗 P型层 阳极 阴极 面接触型 P型扩散层 锡 支架 N型硅 SiO2保护层 阴极 阳极 2．二极管的伏安特性 即PN结的特性——单向导电性 （1）正向特性 死区电压 硅管—— 0.5V 锗管—— 0.1V 正向导通压降UF 硅管—— 0.7V 锗管—— 0.3V （2）反向特性 （3）反向击穿特性 二极管两端加上反向电压时，在开始很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。 反向电流IR 硅管——几十μA以下 锗管——几十到几百μA 二极管反向电压加到一定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。 （1）最大整流电流IFM ——指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流值。 （2）最高反向工作电压URM ——指二极管不击穿时所允许加的最高反向电压，URM通常是反向击穿电压的一半，以确保二极管安全工作。 （3）最大反向电流IRM ——在常温下承受最高反向工作电压URM时的反向漏电流，一般很小，但受温度影响很大。 （4）最高工作频率fM ——指二极管保持单向导电性时外加电压的最高频率。 3．二极管的主要参数 4．二极管的应用 （1）整流 整