开关电源原理设计及实例开关电源中的电力电子元器件及特性.ppt

2.5 双极型晶体管 图2-38 达林顿管的复合图 2.5 双极型晶体管 2、大阻尼三极管 阻尼三极管为大功率三极管，内部结构中，基极与发射极之间带有阻尼电阻，作分流作用，集电极与发射极之间有阻尼二极管起保护作用，以免集电极电流无穷大击穿三极管，当集电极电流无穷大时，阻尼二极管反向导通，从而降低集电极电压。 大功率三极管的特点：集电极与金属外壳相连；体积大，功率大；锗管工作时最高不得超过55℃，硅管不超过80℃。 2.5 双极型晶体管 图2-39大阻尼三极管 2.5 双极型晶体管 3、光敏三极管 光敏三极管是受光线的强度来控制三极管中的电流大小，它只有两个电极，为集电极和发射极。光敏三极管在有光照射时有输出电压、电流，处于导通或放大状态，当无光照时，光敏三极管处于截止状态。检测：对于有定位脚三极管，靠近定位脚的发射极，另一个是集电极，如果外壳上标有色点，靠近色点的发射极，另一个为集电极，光敏三极管引脚长短不同，引脚长的为发射极，引脚智囊的为集电极。还可以用万用表欧姆档检测，正反测两次应一次通一次不通，通时，红表笔所接为集电极，而黑表笔所接为发射极。 2.5 双极型晶体管 图2-40 光敏三极管 2.5 双极型晶体管 4、 高效管与功放管示意图 ３ＤＧ 1881 ３ＤＤ ３ＡＸ 图2-41 高效管与功放管的示意图 2.5 双极型晶体管 2.5.7使用双极型晶体三极管的注意事项 1、在使用三极管设计电路时需要考虑旁路电容对电压增益带来的影响； 2、在使用三极管设计电路时需注意三极管内部的结电容的影响； 3、在使用三极管设计电路时需考虑三极管的截止频率； 4、三极管作为开关时需注意它的可靠性； 5、设计电路时应该理解射极跟随器的原理； 2.5 双极型晶体管 6、同型号、同功率代换大功率可以代替小功率，但小功率不能代替大功率； 7、放大管的值高的可以代替值小的； 8、高频开关管可以代替低频开关管，但低频不能代替高频开关管。 2.6 IGBT 电动机可变驱动装置和电子计算机的备用电源装置等电力变换器，随着双极性功率晶体管模块和MOSFET的出现，已经起了很大的变化。这些使用交换原件的各种电力变换器也随着近年来节能、设备小型化轻量化等要求的提高而急速的发展起来。但是，电力变换器方面的需求，并没有通过双极性功率晶体管模块和功率MOSFET得到完全的满足。双极性功率晶体管模块虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是却有交换速度不够快的缺陷。而功率MOSFET虽然交换速度够快了，但是存在着不能得到高耐压、大容量等的缺陷。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）正是作为顺应这种要求而开发的，它是一种既有功率MOSFET的高速切换又有双极性晶体管的高耐压、大电流处理能力的新型元件。 2.6 IGBT 2.6.1IGBT的基本知识 1、定义 IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor ，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT 双极型三极管 和MOS 绝缘栅型场效应管 组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 2.6 IGBT 2、主要性能指标 （1）通态电压： 所谓通态电压，是指IGBT进入导通状态的管压降 ，这个电压随 上升而下降。 2.6 IGBT （2）开关损耗： 常温下，IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。MOSFET开关损耗与温度关系不大，但IGBT每增加100度，损耗增加2倍。开通损耗IGBT平均比MOSFET略小，而且二者都对温度比较敏感，且呈正温度系数。两种器件的开关损耗和电流相关，电流越大，损耗越高。 2.6 IGBT （3）安全工作区的主要参数 、 、 、 ： 最大集电极功耗 ：取决于允许结温； 最大集电极电流 ：则受元件擎住效应限制； 最大集射极间电压 ：由内部PNP晶体管的击穿电压确定； 栅极-发射极额定电压 ：栅极控制信号的电压额定值。 3、主要优缺点 IGBT比MOSFET和BJT的主要优势体现在： ⑴它有一个非常低通态压降，由于具有优异的电导调制能力和较大通态电流密度。使得更小的芯片尺寸和更低的功耗成为可能。 ⑵由于MOS栅结构使得IGBT有较低的驱动电压，且只需要简单的外围驱动电路。较BJT和晶闸管而言，它能更容易地使用在高电压大电流的电路中。 ⑶有比较宽的安全