2电力电子器件-电力电子技术--裴云庆讲解.ppt

2.4.2 电力晶体管 ■GTR的二次击穿现象与安全工作区 ◆当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流迅速增大， 这种首先出现的击穿是雪崩击穿，被称为一次击穿。 ◆发现一次击穿发生时如不有效地限制电流，Ic增大到某个临界点时 会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击 穿。 ◆出现一次击穿后，GTR一般不会损坏，二次击穿常常立即导致器 件的永久损坏，或者工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。 SOA O I c I cM P SB P cM U ce U ceM 图2-19 GTR的安全工作区 二次击穿功率 ◆安全工作区（Safe Operating Area——SOA） ?将不同基极电流下二次击穿的临界点 连接起来，就构成了二次击穿临界线。 ?GTR工作时不仅不能超过最高电压 UceM，集电极最大电流IcM和最大耗散功 率PcM，也不能超过二次击穿临界线。 */89 2.4.3 电力场效应晶体管 ■分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中 的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简 称电力MOSFET（Power MOSFET）。 ■电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，它的特点有： ◆驱动电路简单，需要的驱动功率小。 ◆开关速度快，工作频率高。 ◆热稳定性优于GTR。 ◆电流容量小，耐压低，多用于功率不超过 10kW的电力电子装置。 */89 2.4.3 电力场效应晶体管 ■电力MOSFET的结构和工作原理 ◆电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 ?当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。 ?对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为增强型。 ?在电力MOSFET中，主要是N沟道增强型。 */89 2.4.3 电力场效应晶体管 ◆电力MOSFET的结构 ?是单极型晶体管。 ?结构上与小功率MOS管有较大区 别，小功率MOS管是横向导电器件，而 目前电力MOSFET大都采用了垂直导电 结构，所以又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），这大大提高了MOSFET器 件的耐压和耐电流能力。 ?按垂直导电结构的差异，分为利用 V型槽实现垂直导电的VVMOSFET （Vertical V-groove MOSFET）和具有 垂直导电双扩散MOS结构的DMOSFET （Vertical Double-diffused MOSFET）。 ?电力MOSFET也是多元集成结构。 图2-20 电力MOSFET的结构 和电气图形符号 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 */89 2.4.3 电力场效应晶体管 ◆电力MOSFET的工作原理 ?截止：当漏源极间接正电压，栅极和源极间电压为零 时，P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间 无电流流过。 ?导通 √在栅极和源极之间加一正电压UGS，正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。 √当UGS大于某一电压值UT时，使P型半导体反型成N型半导体，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。 √UT称为开启电压（或阈值电压），UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流ID越大。 */89 ■电力MOSFET的基本特性 ◆静态特性 ?转移特性 √指漏极电流ID和栅源间电压 UGS的关系，反映了输入电压和输 出电流的关系 。 √ID较大时，ID与UGS的关系近似 线性，曲线的斜率被定义为 MOSFET的跨导Gfs，即 2.4.3 电力场效应晶体管 图2-21 电力MOSFET的 转移特性和输出特性 a) 转移特性 (2-11) √是电压控制型器件，其输入阻 抗极高，输入电流非常小。 */89 2.3 半控器件—晶闸管·引言 ■晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器 （Silicon Controlled Rectifier——SCR），以前被简称为可控硅。 ■1956年美国贝尔实验室（Bell Laboratories）